一种提取GaN HEMT器件热源模型的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110666770.X

申请日：

2021-06-16

公开(公告)号：

CN113505504A

公开(公告)日：

2021-10-15

发明(设计)人：

李姚郑子轩蒲红斌

申请人：

申请人地址：

710048 陕西省西安市碑林区金花南路5号

IPC主分类号：

G06F3023

IPC分类号：

G06F11902 G06F11908

代理机构：

西安弘理专利事务所 61214

代理人：

王丹

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-15	公开	公开
2021-11-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 30/23 申请日:20210616

共 50 条

[1]

AlGaN/GaN HEMT器件小信号模型提取方法 [P].

黄永 ;

王霄 ;

费一帆 ;

王东 .

中国专利 :CN114519275B ,2024-03-29

[2]

AlGaN/GaN HEMT器件小信号模型提取方法 [P].

黄永 ;

王霄 ;

费一帆 ;

王东 .

中国专利 :CN114519275A ,2022-05-20

[3]

一种GaN HEMT器件的制备方法及GaN HEMT器件 [P].

张晓宇 ;

岳丹诚 ;

李星齐 .

中国专利 :CN119403171A ,2025-02-07

[4]

一种GaN HEMT器件的制备方法及GaN HEMT器件 [P].

张晓宇 ;

岳丹诚 ;

李星齐 .

中国专利 :CN119403171B ,2025-07-22

[5]

一种GaN HEMT器件模型的建模方法 [P].

刘贵鹏 ;

周子维 ;

赵桂娟 .

中国专利 :CN117993217B ,2024-11-05

[6]

一种GaN HEMT器件模型的建模方法 [P].

刘贵鹏 ;

周子维 ;

赵桂娟 .

中国专利 :CN117993217A ,2024-05-07

[7]

一种GaN HEMT器件等效电路模型的参数提取方法 [P].

董志华 ;

欧阳御龙 .

中国专利 :CN120087313B ,2025-11-11

[8]

一种GaN HEMT器件等效电路模型的参数提取方法 [P].

董志华 ;

欧阳御龙 .

中国专利 :CN120087313A ,2025-06-03

[9]

一种GaN HEMT器件的热可靠性评估方法 [P].

刘胜厚 ;

孟天颖 ;

卢益锋 ;

张辉 ;

蔡仙清 .

中国专利 :CN111665430A ,2020-09-15

[10]

GaN HEMT器件制备方法及GaN HEMT器件 [P].

李亦衡 ;

朱廷刚 ;

武乐可 ;

王强 ;

黄克强 ;

秦佳明 ;

魏鸿源 ;

夏远洋 .

中国专利 :CN116631960B ,2024-04-05

← 1 2 3 4 5 →