AlGaN/GaN HEMT器件小信号模型提取方法

被引：0

申请号：

CN202210160133.X

申请日：

2022-02-22

公开(公告)号：

CN114519275A

公开(公告)日：

2022-05-20

发明(设计)人：

黄永王霄费一帆王东

申请人：

申请人地址：

241000 安徽省芜湖市弋江区文津西路8号

IPC主分类号：

G06F3020

IPC分类号：

G06F11902

代理机构：

芜湖思诚知识产权代理有限公司 34138

代理人：

房文亮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-20	公开	公开
2022-08-19	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):G06F 30/20 变更事项:申请人变更前:西安电子科技大学芜湖研究院变更后:西安电子科技大学芜湖研究院变更事项:地址变更前:241000 安徽省芜湖市弋江区文津西路8号变更后:241000 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园7号楼
2022-06-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 30/20 申请日:20220222

共 50 条

[1]

AlGaN/GaN HEMT器件小信号模型提取方法 [P].

黄永 ;

王霄 ;

费一帆 ;

王东 .

中国专利 :CN114519275B ,2024-03-29

[2]

AlGaN/GaN HEMT小信号模型 [P].

王佳佳 ;

周海峰 ;

丁庆 .

中国专利 :CN206421387U ,2017-08-18

[3]

AlGaN/GaN HEMT小信号模型的参数提取方法 [P].

刘新宇 ;

蒲颜 ;

庞磊 ;

袁婷婷 ;

罗卫军 ;

陈晓娟 .

中国专利 :CN102542077B ,2012-07-04

[4]

AlGaN/GaN HEMT小信号模型及其参数的提取方法 [P].

王佳佳 ;

周海峰 ;

丁庆 .

中国专利 :CN106529102A ,2017-03-22

[5]

一种AlGaN/GaN HEMT微波功率器件小信号本征参数提取方法 [P].

陈勇波 .

中国专利 :CN108062442B ,2018-05-22

[6]

AlGaN/GaN HETM小信号模型及其提参方法 [P].

姜元祺 ;

袁理 .

中国专利 :CN105046066A ,2015-11-11

[7]

基于鲸鱼优化算法提取GaN HEMT小信号模型寄生参数的方法 [P].

秦剑 ;

韦鹏 .

中国专利 :CN117332738A ,2024-01-02

[8]

一种建立AlGaN/GaN HEMT器件直流模型的方法 [P].

沈溧 ;

骆丹婷 ;

高建军 .

中国专利 :CN104376161A ,2015-02-25

[9]

AlGaN/GaN HEMT器件的外延层转移方法 [P].

马晓华 ;

张新创 ;

马佩军 ;

朱青 .

中国专利 :CN109148368B ,2019-01-04

[10]

一种高压AlGaN/GaN HEMT器件 [P].

王洪 ;

高升 ;

廖碧艳 ;

李先辉 .

中国专利 :CN212783460U ,2021-03-23

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