AlGaN/GaN HEMT小信号模型

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201621447528.4
申请日
2016-12-27
公开(公告)号
CN206421387U
公开(公告)日
2017-08-18
发明(设计)人
王佳佳 周海峰 丁庆
申请人
申请人地址
518102 广东省深圳市宝安区西乡街道宝田一路臣田工业区37栋2楼东
IPC主分类号
G06F1750
IPC分类号
代理机构
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
吴平
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
AlGaN/GaN HEMT器件小信号模型提取方法 [P]. 
黄永 ;
王霄 ;
费一帆 ;
王东 .
中国专利 :CN114519275B ,2024-03-29
[2]
AlGaN/GaN HEMT器件小信号模型提取方法 [P]. 
黄永 ;
王霄 ;
费一帆 ;
王东 .
中国专利 :CN114519275A ,2022-05-20
[3]
AlGaN/GaN HEMT小信号模型及其参数的提取方法 [P]. 
王佳佳 ;
周海峰 ;
丁庆 .
中国专利 :CN106529102A ,2017-03-22
[4]
AlGaN/GaN HEMT小信号模型的参数提取方法 [P]. 
刘新宇 ;
蒲颜 ;
庞磊 ;
袁婷婷 ;
罗卫军 ;
陈晓娟 .
中国专利 :CN102542077B ,2012-07-04
[5]
AlGaN/GaN HETM小信号模型及其提参方法 [P]. 
姜元祺 ;
袁理 .
中国专利 :CN105046066A ,2015-11-11
[6]
基于GRU的GaN HEMT小信号模型建模方法 [P]. 
蔡佳林 ;
朱泽根 .
中国专利 :CN115510750A ,2022-12-23
[7]
基于GRU的GaN HEMT小信号模型建模方法 [P]. 
蔡佳林 ;
朱泽根 .
中国专利 :CN115510750B ,2025-09-26
[8]
一种多栅指AlGaN/GaN HETM小信号模型及其提参方法 [P]. 
姜元祺 .
中国专利 :CN107818187A ,2018-03-20
[9]
一种高压AlGaN/GaN HEMT器件 [P]. 
王洪 ;
高升 ;
廖碧艳 ;
李先辉 .
中国专利 :CN212783460U ,2021-03-23
[10]
一种GaN HEMT晶体管小信号模型建模方法 [P]. 
张丽 ;
刘太君 ;
叶焱 ;
许高明 .
中国专利 :CN114330192A ,2022-04-12