一种多栅指AlGaN/GaN HETM小信号模型及其提参方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610824514.8
申请日
2016-09-14
公开(公告)号
CN107818187A
公开(公告)日
2018-03-20
发明(设计)人
姜元祺
申请人
申请人地址
401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永大道25号
IPC主分类号
G06F1750
IPC分类号
代理机构
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人
余明伟
法律状态
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共 50 条
[1]
AlGaN/GaN HETM小信号模型及其提参方法 [P]. 
姜元祺 ;
袁理 .
中国专利 :CN105046066A ,2015-11-11
[2]
AlGaN/GaN HEMT小信号模型及其参数的提取方法 [P]. 
王佳佳 ;
周海峰 ;
丁庆 .
中国专利 :CN106529102A ,2017-03-22
[3]
AlGaN/GaN HEMT器件小信号模型提取方法 [P]. 
黄永 ;
王霄 ;
费一帆 ;
王东 .
中国专利 :CN114519275B ,2024-03-29
[4]
AlGaN/GaN HEMT器件小信号模型提取方法 [P]. 
黄永 ;
王霄 ;
费一帆 ;
王东 .
中国专利 :CN114519275A ,2022-05-20
[5]
AlGaN/GaN HEMT小信号模型的参数提取方法 [P]. 
刘新宇 ;
蒲颜 ;
庞磊 ;
袁婷婷 ;
罗卫军 ;
陈晓娟 .
中国专利 :CN102542077B ,2012-07-04
[6]
一种GaN HEMT晶体管小信号模型建模方法 [P]. 
张丽 ;
刘太君 ;
叶焱 ;
许高明 .
中国专利 :CN114330192A ,2022-04-12
[7]
一种高压AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法 [P]. 
王洪 ;
高升 ;
廖碧艳 ;
李先辉 .
中国专利 :CN111403480A ,2020-07-10
[8]
一种小信号等效电路的提参方法和系统 [P]. 
朱昭辰 ;
丁武昌 ;
苏永波 ;
杨枫 ;
金智 .
中国专利 :CN119514446A ,2025-02-25
[9]
一种AlGaN/GaN HEMT微波功率器件小信号本征参数提取方法 [P]. 
陈勇波 .
中国专利 :CN108062442B ,2018-05-22
[10]
一种监控AlGaN/GaN HEMT凹栅槽刻蚀的方法 [P]. 
袁婷婷 ;
魏珂 ;
郑英奎 ;
刘新宇 .
中国专利 :CN103745944A ,2014-04-23