一种GaN HEMT晶体管小信号模型建模方法

被引：0

申请号：

CN202111447793.8

申请日：

2021-11-30

公开(公告)号：

CN114330192A

公开(公告)日：

2022-04-12

发明(设计)人：

张丽刘太君叶焱许高明

申请人：

申请人地址：

315211 浙江省宁波市江北区风华路818号

IPC主分类号：

G06F30367

IPC分类号：

代理机构：

宁波奥圣专利代理有限公司 33226

代理人：

方小惠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-12	公开	公开
2022-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 30/367 申请日:20211130

共 50 条

[1]

一种InP基太赫兹HEMT晶体管小信号模型 [P].

陈阳 ;

孙文杰 ;

方恒 ;

赖娴 ;

张勇 ;

延波 .

中国专利 :CN115329719B ,2022-11-11

[2]

一种InP太赫兹HEMT晶体管正负栅压小信号模型 [P].

陈阳 ;

孙文杰 ;

方恒 ;

韦金星 ;

赖娴 ;

延波 ;

徐锐敏 .

中国专利 :CN114970419B ,2022-11-08

[3]

基于GRU的GaN HEMT小信号模型建模方法 [P].

蔡佳林 ;

朱泽根 .

中国专利 :CN115510750A ,2022-12-23

[4]

基于GRU的GaN HEMT小信号模型建模方法 [P].

蔡佳林 ;

朱泽根 .

中国专利 :CN115510750B ,2025-09-26

[5]

一种晶体管小信号建模方法及装置 [P].

杨天应 ;

刘丽娟 ;

刘石头 .

中国专利 :CN113343619A ,2021-09-03

[6]

AlGaN/GaN HEMT小信号模型 [P].

王佳佳 ;

周海峰 ;

丁庆 .

中国专利 :CN206421387U ,2017-08-18

[7]

一种GaN HEMT晶体管的DC-IV模型建模方法 [P].

张丽 ;

刘太君 ;

马施榆 ;

叶焱 ;

许高明 .

中国专利 :CN114357921A ,2022-04-15

[8]

基于支持向量机的GaN HEMT小信号模型建模方法 [P].

蔡佳林 ;

耿明强 .

中国专利 :CN111832238A ,2020-10-27

[9]

AlGaN/GaN HEMT小信号模型的参数提取方法 [P].

刘新宇 ;

蒲颜 ;

庞磊 ;

袁婷婷 ;

罗卫军 ;

陈晓娟 .

中国专利 :CN102542077B ,2012-07-04

[10]

AlGaN/GaN HEMT器件小信号模型提取方法 [P].

黄永 ;

王霄 ;

费一帆 ;

王东 .

中国专利 :CN114519275B ,2024-03-29

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