一种高压AlGaN/GaN HEMT器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202020366244.2

申请日：

2020-03-21

公开(公告)号：

CN212783460U

公开(公告)日：

2021-03-23

发明(设计)人：

王洪高升廖碧艳李先辉

申请人：

申请人地址：

528400 广东省中山市火炬开发区中心城区祥兴路6号212房

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906 H01L29423 H01L21335

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

江裕强

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-23	授权	授权

共 50 条

[1]

一种高压AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

王洪 ;

高升 ;

廖碧艳 ;

李先辉 .

中国专利 :CN111403480A ,2020-07-10

[2]

一种增强型AlN/AlGaN/GaN HEMT器件 [P].

李国强 ;

孙佩椰 ;

陈丁波 ;

万利军 ;

阙显沣 ;

姚书南 .

中国专利 :CN210429824U ,2020-04-28

[3]

一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件 [P].

王颖 ;

冯博明 ;

黄火林 ;

曹菲 .

中国专利 :CN119364828A ,2025-01-24

[4]

一种AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

陈丽香 ;

孙佳惟 ;

阙妙玲 ;

孙云飞 .

中国专利 :CN117894833A ,2024-04-16

[5]

一种GaN HEMT器件 [P].

黎明 .

中国专利 :CN206322705U ,2017-07-11

[6]

AlGaN/GaN HEMT小信号模型 [P].

王佳佳 ;

周海峰 ;

丁庆 .

中国专利 :CN206421387U ,2017-08-18

[7]

垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法 [P].

孙世闯 ;

张宝顺 ;

范亚明 ;

付凯 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张志利 ;

宋亮 .

中国专利 :CN104659082B ,2015-05-27

[8]

增强型AlGaN/GaN HEMT器件的制备方法 [P].

张晓东 ;

范亚明 ;

付凯 ;

蔡勇 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN104465403A ,2015-03-25

[9]

一种凹槽双场板AlGaN/GaN HEMT器件 [P].

刘静 ;

吴晗 ;

王琳倩 ;

屠家昆 .

中国专利 :CN113517340A ,2021-10-19

[10]

一种局部凹槽结构的AlGaN/GaN HEMT器件 [P].

刘静 ;

王琳倩 ;

黄忠孝 .

中国专利 :CN110707154A ,2020-01-17

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