一种局部凹槽结构的AlGaN/GaN HEMT器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910910442.2

申请日：

2019-09-25

公开(公告)号：

CN110707154A

公开(公告)日：

2020-01-17

发明(设计)人：

刘静王琳倩黄忠孝

申请人：

申请人地址：

710048 陕西省西安市碑林区金花南路5号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L29207 H01L2906

代理机构：

西安弘理专利事务所 61214

代理人：

涂秀清

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-17	公开	公开
2020-02-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20190925

共 50 条

[1]

一种凹槽双场板AlGaN/GaN HEMT器件 [P].

刘静 ;

吴晗 ;

王琳倩 ;

屠家昆 .

中国专利 :CN113517340A ,2021-10-19

[2]

一种高压AlGaN/GaN HEMT器件 [P].

王洪 ;

高升 ;

廖碧艳 ;

李先辉 .

中国专利 :CN212783460U ,2021-03-23

[3]

一种AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

陈丽香 ;

孙佳惟 ;

阙妙玲 ;

孙云飞 .

中国专利 :CN117894833A ,2024-04-16

[4]

一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件 [P].

王颖 ;

冯博明 ;

黄火林 ;

曹菲 .

中国专利 :CN119364828A ,2025-01-24

[5]

垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法 [P].

孙世闯 ;

张宝顺 ;

范亚明 ;

付凯 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张志利 ;

宋亮 .

中国专利 :CN104659082B ,2015-05-27

[6]

垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法 [P].

孙世闯 ;

张宝顺 ;

范亚明 ;

付凯 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张志利 ;

宋亮 .

中国专利 :CN104701359A ,2015-06-10

[7]

AlGaN/GaN HEMT器件的外延层转移方法 [P].

马晓华 ;

张新创 ;

马佩军 ;

朱青 .

中国专利 :CN109148368B ,2019-01-04

[8]

一种建立AlGaN/GaN HEMT器件直流模型的方法 [P].

沈溧 ;

骆丹婷 ;

高建军 .

中国专利 :CN104376161A ,2015-02-25

[9]

一种改善AlGaN/GaN HEMT器件电学性能的方法 [P].

吕玲 ;

严肖瑶 ;

习鹤 ;

曹艳荣 ;

马晓华 ;

张进成 .

中国专利 :CN109473343B ,2019-03-15

[10]

一种高压AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

王洪 ;

高升 ;

廖碧艳 ;

李先辉 .

中国专利 :CN111403480A ,2020-07-10

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