AlGaN/GaN HEMT器件的外延层转移方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810755826.7

申请日：

2018-07-11

公开(公告)号：

CN109148368B

公开(公告)日：

2019-01-04

发明(设计)人：

马晓华张新创马佩军朱青

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L2178

IPC分类号：

H01L21335

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

孙涛涛

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/78 申请日:20180711
2019-01-04	公开	公开
2021-09-14	授权	授权

共 50 条

[1]

增强型AlGaN/GaN HEMT器件的制备方法 [P].

张晓东 ;

范亚明 ;

付凯 ;

蔡勇 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN104465403A ,2015-03-25

[2]

包含嵌入层的增强型AlGaN/GaN HEMT器件 [P].

王颖 ;

冯博明 ;

刘军 ;

郭浩民 .

中国专利 :CN119403169A ,2025-02-07

[3]

包含嵌入层的增强型AlGaN/GaN HEMT器件 [P].

王颖 ;

冯博明 ;

刘军 ;

郭浩民 .

中国专利 :CN119403169B ,2025-12-12

[4]

GaN基HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117727773B ,2024-04-19

[5]

GaN基HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117727773A ,2024-03-19

[6]

AlGaN/GaN HEMT器件小信号模型提取方法 [P].

黄永 ;

王霄 ;

费一帆 ;

王东 .

中国专利 :CN114519275B ,2024-03-29

[7]

AlGaN/GaN HEMT器件小信号模型提取方法 [P].

黄永 ;

王霄 ;

费一帆 ;

王东 .

中国专利 :CN114519275A ,2022-05-20

[8]

一种高压AlGaN/GaN HEMT器件 [P].

王洪 ;

高升 ;

廖碧艳 ;

李先辉 .

中国专利 :CN212783460U ,2021-03-23

[9]

AlGaN/GaN HEMT中的AlGaN势垒层及其生长方法 [P].

付羿 ;

周名兵 .

中国专利 :CN111106170B ,2024-05-17

[10]

基于侧向外延技术的垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法 [P].

张宝顺 ;

孙世闯 ;

付凯 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张志利 ;

宋亮 .

中国专利 :CN104659089A ,2015-05-27

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