AlGaN/GaN HEMT中的AlGaN势垒层及其生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911391763.2

申请日：

2019-12-30

公开(公告)号：

CN111106170B

公开(公告)日：

2024-05-17

发明(设计)人：

付羿周名兵

申请人：

晶能光电股份有限公司

申请人地址：

330096 江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号

IPC主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/20 H01L29/205 H01L21/335

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-17	授权	授权

共 50 条

[1]

AlGaN/GaN HEMT中的AlGaN势垒层及其生长方法 [P].

付羿 ;

周名兵 .

中国专利 :CN111106170A ,2020-05-05

[2]

N极性AlGaN/GaN HEMT器件及其生长方法 [P].

付羿 ;

周名兵 .

中国专利 :CN112687738A ,2021-04-20

[3]

AlN势垒层、AlN/GaN HEMT外延结构及其生长方法 [P].

付羿 ;

周名兵 .

中国专利 :CN111106171A ,2020-05-05

[4]

AlN势垒层、AlN/GaN HEMT外延结构及其生长方法 [P].

付羿 ;

周名兵 .

中国专利 :CN111106171B ,2024-03-19

[5]

硅基AlGaN/GaN HEMT外延薄膜及其生长方法 [P].

吴春艳 ;

鲁德 ;

朱晨岳 ;

周昆楠 ;

戴一航 ;

罗林保 .

中国专利 :CN114613847B ,2022-06-10

[6]

一种硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及其生长方法 [P].

王明洋 ;

李国鹏 ;

王银海 ;

仇光寅 ;

马梦杰 .

中国专利 :CN119922941A ,2025-05-02

[7]

AlGaN/GaN HEMT器件的外延层转移方法 [P].

马晓华 ;

张新创 ;

马佩军 ;

朱青 .

中国专利 :CN109148368B ,2019-01-04

[8]

垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法 [P].

孙世闯 ;

张宝顺 ;

范亚明 ;

付凯 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张志利 ;

宋亮 .

中国专利 :CN104701359A ,2015-06-10

[9]

基于P型AlGaN背势垒结构的高耐压AlGaN HEMT器件及制备方法 [P].

吴银河 ;

马兴驰 ;

张苇杭 ;

赵胜雷 ;

张雅超 ;

冯欣 ;

刘志宏 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119521709A ,2025-02-25

[10]

AlGaN薄膜材料及其生长方法 [P].

周小伟 ;

李培咸 ;

郝跃 .

中国专利 :CN101538740A ,2009-09-23

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