AlN势垒层、AlN/GaN HEMT外延结构及其生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911405708.4

申请日：

2019-12-31

公开(公告)号：

CN111106171A

公开(公告)日：

2020-05-05

发明(设计)人：

付羿周名兵

申请人：

申请人地址：

330096 江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2920 H01L29205 H01L29207 H01L21335

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20191231
2020-05-05	公开	公开

共 50 条

[1]

AlN势垒层、AlN/GaN HEMT外延结构及其生长方法 [P].

付羿 ;

周名兵 .

中国专利 :CN111106171B ,2024-03-19

[2]

AlGaN/GaN HEMT中的AlGaN势垒层及其生长方法 [P].

付羿 ;

周名兵 .

中国专利 :CN111106170A ,2020-05-05

[3]

AlGaN/GaN HEMT中的AlGaN势垒层及其生长方法 [P].

付羿 ;

周名兵 .

中国专利 :CN111106170B ,2024-05-17

[4]

含有超晶格势垒层的LED结构外延生长方法及其结构 [P].

牛凤娟 ;

戚运东 .

中国专利 :CN103560187A ,2014-02-05

[5]

含有超晶格势垒层的LED结构外延生长方法及其结构 [P].

艾剑雄 .

中国专利 :CN103594570B ,2014-02-19

[6]

InGaN/GaN异质外延结构及其生长方法 [P].

刘炜 ;

赵德刚 ;

陈平 ;

刘宗顺 ;

朱建军 ;

江德生 ;

杨静 .

中国专利 :CN108598192A ,2018-09-28

[7]

用于GaN HEMT的超晶格结构、缓冲层、GaN HEMT外延片及生长方法 [P].

陈耀 ;

陈嘉俊 ;

康双双 ;

郭世平 .

中国专利 :CN119403191A ,2025-02-07

[8]

一种硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及其生长方法 [P].

王明洋 ;

李国鹏 ;

王银海 ;

仇光寅 ;

马梦杰 .

中国专利 :CN119922941A ,2025-05-02

[9]

外延结构及其生长方法 [P].

李永 ;

王耀国 .

中国专利 :CN102931303A ,2013-02-13

[10]

基于AlN厚膜的GaN HEMT外延晶圆及其制造方法 [P].

宋俊午 ;

林贤哲 ;

韩永勋 ;

尹亨善 .

韩国专利 :CN120825980A ,2025-10-21

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