含有超晶格势垒层的LED结构外延生长方法及其结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310574237.6

申请日：

2013-11-15

公开(公告)号：

CN103560187A

公开(公告)日：

2014-02-05

发明(设计)人：

牛凤娟戚运东

申请人：

申请人地址：

423038 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3332

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司 11372

代理人：

吴大建;郑隽

法律状态：

专利实施许可合同备案的生效、变更及注销

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-24	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销	专利实施许可合同备案的生效号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101751896115 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:2013105742376 专利号:ZL2013105742376 合同备案号:2017370000031 让与人:湘能华磊光电股份有限公司受让人:山东新华联新能源科技有限公司发明名称:含有超晶格势垒层的LED结构外延生长方法及其结构申请日:20131115 申请公布日:20140205 授权公告日:20160817 许可种类:普通许可备案日期:20170428
2016-08-17	授权	授权
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101576330393 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:2013105742376 申请日:20131115
2014-02-05	公开	公开

共 50 条

[1]

含有超晶格势垒层的LED结构外延生长方法及其结构 [P].

艾剑雄 .

中国专利 :CN103594570B ,2014-02-19

[2]

含有超晶格层的LED结构外延生长方法及其结构 [P].

马海庆 ;

苏军 .

中国专利 :CN103474539A ,2013-12-25

[3]

新型量子阱势垒层的LED外延生长方法及外延层 [P].

王霄 ;

梁智勇 ;

季辉 .

中国专利 :CN104157746A ,2014-11-19

[4]

AlN势垒层、AlN/GaN HEMT外延结构及其生长方法 [P].

付羿 ;

周名兵 .

中国专利 :CN111106171A ,2020-05-05

[5]

AlN势垒层、AlN/GaN HEMT外延结构及其生长方法 [P].

付羿 ;

周名兵 .

中国专利 :CN111106171B ,2024-03-19

[6]

基于超晶格势垒量子阱结构的LED [P].

董海亮 ;

贾志刚 ;

关永莉 ;

梁建 ;

米洪龙 ;

许并社 ;

陈永寿 ;

陕志芳 .

中国专利 :CN209461482U ,2019-10-01

[7]

势磊厚度渐变的LED结构外延生长方法及其结构 [P].

林传强 ;

苗振林 .

中国专利 :CN103474540A ,2013-12-25

[8]

基于超晶格势垒量子阱结构的LED及其制备方法 [P].

董海亮 ;

贾志刚 ;

关永莉 ;

梁建 ;

米洪龙 ;

许并社 ;

陈永寿 ;

陕志芳 .

中国专利 :CN109904289A ,2019-06-18

[9]

一种具有n型超晶格结构的LED外延结构及其生长方法 [P].

逯瑶 ;

曲爽 ;

王成新 ;

王志强 ;

徐现刚 ;

张恒 .

中国专利 :CN104538517A ,2015-04-22

[10]

LED 外延结构及其生长方法 [P].

张宇 ;

赖穆人 .

中国专利 :CN103346226B ,2013-10-09

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