含有超晶格层的LED结构外延生长方法及其结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310441803.6

申请日：

2013-09-25

公开(公告)号：

CN103474539A

公开(公告)日：

2013-12-25

发明(设计)人：

马海庆苏军

申请人：

申请人地址：

423038 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3332

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司 11372

代理人：

吴大建;郑隽

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-12-25	公开	公开
2016-03-30	授权	授权
2014-01-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101564928476 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:2013104418036 申请日:20130925

共 50 条

[1]

含有超晶格势垒层的LED结构外延生长方法及其结构 [P].

牛凤娟 ;

戚运东 .

中国专利 :CN103560187A ,2014-02-05

[2]

含有超晶格势垒层的LED结构外延生长方法及其结构 [P].

艾剑雄 .

中国专利 :CN103594570B ,2014-02-19

[3]

InAlGaN超晶格结构生长方法、超晶格结构、外延结构和芯片 [P].

孟锡俊 ;

崔志强 ;

贾晓龙 .

中国专利 :CN112259657B ,2024-08-16

[4]

InAlGaN超晶格结构生长方法、超晶格结构、外延结构和芯片 [P].

孟锡俊 ;

崔志强 ;

贾晓龙 .

中国专利 :CN112259657A ,2021-01-22

[5]

LED外延层结构、生长方法及具有该结构的LED芯片 [P].

农明涛 ;

许孔祥 ;

周佐华 .

中国专利 :CN103972334B ,2014-08-06

[6]

紫光LED外延结构及其生长方法 [P].

吴礼清 ;

周长健 .

中国专利 :CN107316925A ,2017-11-03

[7]

一种LED发光层外延生长方法及其结构 [P].

张洪涛 ;

朱鸣飞 .

中国专利 :CN108281521A ,2018-07-13

[8]

一种具有n型超晶格结构的LED外延结构及其生长方法 [P].

逯瑶 ;

曲爽 ;

王成新 ;

王志强 ;

徐现刚 ;

张恒 .

中国专利 :CN104538517A ,2015-04-22

[9]

外延结构的电子阻挡层生长方法及其相应的外延结构 [P].

张宇 .

中国专利 :CN103337451B ,2013-10-02

[10]

LED外延生长方法 [P].

徐平 ;

夏玺华 .

中国专利 :CN112687770B ,2024-05-14

← 1 2 3 4 5 →