一种具有n型超晶格结构的LED外延结构及其生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410845448.3

申请日：

2014-12-31

公开(公告)号：

CN104538517A

公开(公告)日：

2015-04-22

发明(设计)人：

逯瑶曲爽王成新王志强徐现刚张恒

申请人：

申请人地址：

261061 山东省潍坊市高新区金马路9号

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3332 H01L3300

代理机构：

济南日新专利代理事务所 37224

代理人：

王书刚

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-10	授权	授权
2015-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101609907694 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:2014108454483 申请日:20141231
2015-04-22	公开	公开

共 50 条

[1]

含有超晶格层的LED结构外延生长方法及其结构 [P].

马海庆 ;

苏军 .

中国专利 :CN103474539A ,2013-12-25

[2]

一种插入InGaN/GaN超晶格结构改善非极性GaN材料质量的外延生长方法 [P].

韩军 ;

赵佳豪 ;

邢艳辉 ;

崔博垚 .

中国专利 :CN110364420A ,2019-10-22

[3]

一种n型GaN结构的GaN基LED外延结构及生长方法 [P].

王磊 ;

曲爽 ;

逯瑶 ;

王成新 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN105633235A ,2016-06-01

[4]

一种LED外延底层结构及其生长方法 [P].

李毓锋 ;

马旺 ;

王成新 ;

刘永明 .

中国专利 :CN111725371B ,2020-09-29

[5]

含有超晶格势垒层的LED结构外延生长方法及其结构 [P].

牛凤娟 ;

戚运东 .

中国专利 :CN103560187A ,2014-02-05

[6]

含有超晶格势垒层的LED结构外延生长方法及其结构 [P].

艾剑雄 .

中国专利 :CN103594570B ,2014-02-19

[7]

一种UV LED外延结构及其生长方法 [P].

李志聪 ;

曹俊文 ;

戴俊 ;

王国宏 .

中国专利 :CN110518101A ,2019-11-29

[8]

紫光LED外延结构及其生长方法 [P].

吴礼清 ;

周长健 .

中国专利 :CN107316925A ,2017-11-03

[9]

紫外LED外延结构及其生长方法 [P].

郭丽彬 ;

周长健 ;

程斌 ;

吴礼清 .

中国专利 :CN107689405A ,2018-02-13

[10]

外延结构及其生长方法 [P].

李永 ;

王耀国 .

中国专利 :CN102931303A ,2013-02-13

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