一种插入InGaN/GaN超晶格结构改善非极性GaN材料质量的外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910639441.9

申请日：

2019-07-16

公开(公告)号：

CN110364420A

公开(公告)日：

2019-10-22

发明(设计)人：

韩军赵佳豪邢艳辉崔博垚

申请人：

申请人地址：

100124 北京市朝阳区平乐园100号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

C23C1634 C23C16455 C23C1652

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司 11203

代理人：

刘萍

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20190716
2019-10-22	公开	公开
2021-10-26	授权	授权

共 50 条

[1]

一种插入InGaN层改善非极性GaN材料质量的外延生长方法 [P].

韩军 ;

崔博垚 ;

邢艳辉 ;

赵佳豪 .

中国专利 :CN110429019B ,2019-11-08

[2]

三维、两维GaN层多次交替结构改善非极性GaN材料质量的外延生长方法 [P].

丁广玉 ;

邢艳辉 ;

韩军 .

中国专利 :CN118854442A ,2024-10-29

[3]

一种非极性GaN薄膜的生长方法 [P].

周健华 ;

郝茂盛 ;

颜建锋 ;

潘尧波 ;

周圣明 .

中国专利 :CN101358337A ,2009-02-04

[4]

InGaN/GaN异质外延结构及其生长方法 [P].

刘炜 ;

赵德刚 ;

陈平 ;

刘宗顺 ;

朱建军 ;

江德生 ;

杨静 .

中国专利 :CN108598192A ,2018-09-28

[5]

用于GaN HEMT的超晶格结构、缓冲层、GaN HEMT外延片及生长方法 [P].

陈耀 ;

陈嘉俊 ;

康双双 ;

郭世平 .

中国专利 :CN119403191A ,2025-02-07

[6]

一种非极性GaN薄膜及其生长方法 [P].

周健华 ;

郝茂盛 ;

颜建锋 ;

潘尧波 ;

周圣明 .

中国专利 :CN101364631A ,2009-02-11

[7]

一种非极性a面GaN薄膜生长方法 [P].

叶文远 ;

曾尔曼 ;

吴昊天 ;

郑黎梨 ;

庄佩贞 .

中国专利 :CN103215647A ,2013-07-24

[8]

氮极性面GaN材料及同质外延生长方法 [P].

薛军帅 ;

李蓝星 ;

姚佳佳 ;

杨雪妍 ;

孙志鹏 ;

张赫朋 ;

刘芳 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN112750691A ,2021-05-04

[9]

一种提升结晶质量的GaN基LED外延生长方法 [P].

徐平 ;

胡耀武 .

中国专利 :CN113990988A ,2022-01-28

[10]

一种改善晶体质量的GaN基LED外延底层生长方法 [P].

李毓锋 ;

马旺 ;

王成新 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN108630787A ,2018-10-09

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