氮极性面GaN材料及同质外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110060278.8

申请日：

2021-01-18

公开(公告)号：

CN112750691A

公开(公告)日：

2021-05-04

发明(设计)人：

薛军帅李蓝星姚佳佳杨雪妍孙志鹏张赫朋刘芳张进成郝跃

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2920 H01L29778 H01L29861

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

王品华;朱红星

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20210118
2021-05-04	公开	公开

共 50 条

[1]

镓极性面氮化镓材料及同质外延生长方法 [P].

薛军帅 ;

杨雪妍 ;

李蓝星 ;

姚佳佳 ;

孙志鹏 ;

张赫朋 ;

刘芳 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN112750689A ,2021-05-04

[2]

氮极性面GaN材料及其制作方法 [P].

薛军帅 ;

孙志鹏 ;

李蓝星 ;

杨雪妍 ;

姚佳佳 ;

张赫朋 ;

刘芳 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN112735944A ,2021-04-30

[3]

氮化镓层及其同质外延生长方法 [P].

罗晓菊 ;

王颖慧 ;

特洛伊·乔纳森·贝克 .

中国专利 :CN112820633B ,2024-01-16

[4]

氮化镓层及其同质外延生长方法 [P].

罗晓菊 ;

王颖慧 ;

特洛伊·乔纳森·贝克 .

中国专利 :CN112820633A ,2021-05-18

[5]

金刚石同质外延横向生长方法 [P].

王宏兴 ;

李硕业 ;

王玮 ;

张景文 ;

卜忍安 ;

侯洵 .

中国专利 :CN104651928A ,2015-05-27

[6]

一种降低氮极性GaN衬底同质外延界面杂质浓度的方法 [P].

罗伟科 ;

彭大青 .

中国专利 :CN120221392A ,2025-06-27

[7]

一种在GaN衬底上同质外延生长的方法 [P].

杨志坚 ;

秦志新 ;

于彤军 ;

吴洁君 ;

胡晓东 ;

康香宁 ;

王新强 ;

许福军 ;

沈波 ;

张国义 .

中国专利 :CN104347356A ,2015-02-11

[8]

宽禁带半导体BPN/GaN异质结材料及外延生长方法 [P].

薛军帅 ;

姚佳佳 ;

李蓝星 ;

杨雪妍 ;

孙志鹏 ;

刘芳 ;

吴冠霖 ;

张赫朋 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113140620B ,2021-07-20

[9]

4H-SiC同质外延生长方法 [P].

贾仁需 ;

胡继超 ;

张玉明 ;

王悦湖 ;

张艺蒙 .

中国专利 :CN104018217A ,2014-09-03

[10]

4H-SiC选择性同质外延生长方法 [P].

贾仁需 ;

张玉明 ;

张义门 ;

郭辉 ;

王悦湖 .

中国专利 :CN101608339A ,2009-12-23

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