4H-SiC选择性同质外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910023360.2

申请日：

2009-07-17

公开(公告)号：

CN101608339A

公开(公告)日：

2009-12-23

发明(设计)人：

贾仁需张玉明张义门郭辉王悦湖

申请人：

申请人地址：

710071陕西省西安市太白路2号

IPC主分类号：

C30B2520

IPC分类号：

C30B2936

代理机构：

陕西电子工业专利中心

代理人：

王品华;朱红星

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-23	公开	公开
2010-02-17	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-04-18	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101330928664 IPC(主分类):C30B 25/20 专利申请号:2009100233602 公开日:20091223

共 50 条

[1]

4H-SiC同质外延生长方法 [P].

贾仁需 ;

胡继超 ;

张玉明 ;

王悦湖 ;

张艺蒙 .

中国专利 :CN104018217A ,2014-09-03

[2]

4H-SiC衬底上同质快速外延生长4H-SiC外延层的方法 [P].

刘斌 ;

孙国胜 ;

刘兴昉 ;

董林 ;

郑柳 ;

闫果果 ;

刘胜北 ;

张峰 ;

赵万顺 ;

王雷 ;

曾一平 .

中国专利 :CN103820768A ,2014-05-28

[3]

4H-SiC同质外延生长系统 [P].

贾仁需 ;

胡继超 ;

张玉明 ;

王悦湖 ;

张艺蒙 .

中国专利 :CN104018216A ,2014-09-03

[4]

无缺陷选择性外延的生长方法 [P].

高杏 .

中国专利 :CN103165419A ,2013-06-19

[5]

4H-SiC晶体生长方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN108166058A ,2018-06-15

[6]

掩膜成核消除方法以及选择性外延生长方法 [P].

王灼平 ;

黄锦才 .

中国专利 :CN102354659A ,2012-02-15

[7]

金刚石同质外延横向生长方法 [P].

王宏兴 ;

李硕业 ;

王玮 ;

张景文 ;

卜忍安 ;

侯洵 .

中国专利 :CN104651928A ,2015-05-27

[8]

选择性外延生长预处理方法 [P].

刘藩东 ;

陆智勇 ;

曾明 ;

高晶 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN104779142A ,2015-07-15

[9]

零偏4H-SiC衬底上的同质外延方法 [P].

王悦湖 ;

孙哲 ;

张玉明 ;

张义门 ;

吕红亮 .

中国专利 :CN103199008A ,2013-07-10

[10]

4H-SiC硅面外延生长石墨烯的方法 [P].

张玉明 ;

郭辉 ;

王党朝 ;

张义门 ;

汤晓燕 ;

王悦湖 ;

王德龙 .

中国专利 :CN101602503A ,2009-12-16

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