零偏4H-SiC衬底上的同质外延方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310077087.8

申请日：

2013-03-11

公开(公告)号：

CN103199008A

公开(公告)日：

2013-07-10

发明(设计)人：

王悦湖孙哲张玉明张义门吕红亮

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L2104

IPC分类号：

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

王品华;朱红星

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-08-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101503525455 IPC(主分类):H01L 21/04 专利申请号:2013100770878 申请日:20130311
2013-07-10	公开	公开
2016-05-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回申请公布日:20130710 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101732260852 IPC(主分类):H01L 21/04 专利申请号:2013100770878

共 50 条

[1]

4H-SiC衬底上同质快速外延生长4H-SiC外延层的方法 [P].

刘斌 ;

孙国胜 ;

刘兴昉 ;

董林 ;

郑柳 ;

闫果果 ;

刘胜北 ;

张峰 ;

赵万顺 ;

王雷 ;

曾一平 .

中国专利 :CN103820768A ,2014-05-28

[2]

4H-SiC同质外延生长方法 [P].

贾仁需 ;

胡继超 ;

张玉明 ;

王悦湖 ;

张艺蒙 .

中国专利 :CN104018217A ,2014-09-03

[3]

4H-SiC同质外延生长系统 [P].

贾仁需 ;

胡继超 ;

张玉明 ;

王悦湖 ;

张艺蒙 .

中国专利 :CN104018216A ,2014-09-03

[4]

一种N型4H-SiC同质外延掺杂控制方法 [P].

王悦湖 ;

孙哲 ;

张玉明 ;

贾仁需 ;

张义门 .

中国专利 :CN103422164A ,2013-12-04

[5]

SiC衬底同质网状生长Web Growth外延方法 [P].

贾仁需 ;

辛斌 ;

宋庆文 ;

张艺蒙 ;

闫宏丽 .

中国专利 :CN103489759B ,2014-01-01

[6]

SiC衬底同质外延碳硅双原子层薄膜的方法 [P].

贾仁需 ;

辛斌 ;

宋庆文 ;

张艺蒙 ;

闫宏丽 .

中国专利 :CN103489760A ,2014-01-01

[7]

4H-SiC选择性同质外延生长方法 [P].

贾仁需 ;

张玉明 ;

张义门 ;

郭辉 ;

王悦湖 .

中国专利 :CN101608339A ,2009-12-23

[8]

4H-SiC单晶、SiC外延晶片、以及SiC器件 [P].

松濑朗浩 .

日本专利 :CN119753826A ,2025-04-04

[9]

提高4H-SiC基面位错转化率的外延方法 [P].

苗瑞霞 ;

张玉明 ;

汤晓艳 ;

张义门 .

中国专利 :CN101877309A ,2010-11-03

[10]

SiC同质外延层的剥离方法 [P].

杨军伟 ;

宋华平 ;

陈蛟 ;

简基康 ;

王文军 ;

陈小龙 .

中国专利 :CN111048407A ,2020-04-21

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