SiC同质外延层的剥离方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911385064.7

申请日：

2019-12-28

公开(公告)号：

CN111048407A

公开(公告)日：

2020-04-21

发明(设计)人：

杨军伟宋华平陈蛟简基康王文军陈小龙

申请人：

申请人地址：

523000 广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋

IPC主分类号：

H01L2104

IPC分类号：

H01L21683

代理机构：

深圳市千纳专利代理有限公司 44218

代理人：

袁燕清

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/04 申请日:20191228
2020-04-21	公开	公开
2022-09-09	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/04 登记生效日:20220830 变更事项:申请人变更前权利人:松山湖材料实验室变更后权利人:松山湖材料实验室变更事项:地址变更前权利人:523000 广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋变更后权利人:523000 广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋变更事项:申请人变更前权利人:中国科学院物理研究所变更后权利人:中科汇珠（东莞市）咨询管理企业（有限合伙）
2022-02-18	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/04 登记生效日:20220207 变更事项:申请人变更前权利人:松山湖材料实验室变更后权利人:松山湖材料实验室变更事项:地址变更前权利人:523000 广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋变更后权利人:523000 广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋变更事项:申请人变更后权利人:中国科学院物理研究所

共 50 条

[1]

SiC同质外延层的剥离方法 [P].

杨军伟 ;

宋华平 ;

陈蛟 ;

简基康 ;

王文军 ;

陈小龙 .

中国专利 :CN111048407B ,2024-06-18

[2]

SiC衬底同质外延碳硅双原子层薄膜的方法 [P].

贾仁需 ;

辛斌 ;

宋庆文 ;

张艺蒙 ;

闫宏丽 .

中国专利 :CN103489760A ,2014-01-01

[3]

半导体同质衬底及其制备方法、同质外延层的制备方法 [P].

刘东方 ;

张伟 ;

曾煌 ;

王聪 ;

李纪周 ;

陈小源 ;

鲁林峰 .

中国专利 :CN108231950A ,2018-06-29

[4]

4H-SiC衬底上同质快速外延生长4H-SiC外延层的方法 [P].

刘斌 ;

孙国胜 ;

刘兴昉 ;

董林 ;

郑柳 ;

闫果果 ;

刘胜北 ;

张峰 ;

赵万顺 ;

王雷 ;

曾一平 .

中国专利 :CN103820768A ,2014-05-28

[5]

SiC衬底同质网状生长Web Growth外延方法 [P].

贾仁需 ;

辛斌 ;

宋庆文 ;

张艺蒙 ;

闫宏丽 .

中国专利 :CN103489759B ,2014-01-01

[6]

氮化镓层及其同质外延生长方法 [P].

罗晓菊 ;

王颖慧 ;

特洛伊·乔纳森·贝克 .

中国专利 :CN112820633B ,2024-01-16

[7]

一种3C-SiC外延层及其制备方法 [P].

张翅腾飞 ;

章嵩 ;

涂溶 ;

张联盟 .

中国专利 :CN121023637A ,2025-11-28

[8]

氮化镓层及其同质外延生长方法 [P].

罗晓菊 ;

王颖慧 ;

特洛伊·乔纳森·贝克 .

中国专利 :CN112820633A ,2021-05-18

[9]

3C-SiC外延层及其制备方法和半导体器件 [P].

秦晓素 ;

薛运周 ;

何少龙 .

中国专利 :CN119710914A ,2025-03-28

[10]

4H-SiC同质外延生长方法 [P].

贾仁需 ;

胡继超 ;

张玉明 ;

王悦湖 ;

张艺蒙 .

中国专利 :CN104018217A ,2014-09-03

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