3C-SiC外延层及其制备方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411603543.2

申请日：

2024-11-11

公开(公告)号：

CN119710914A

公开(公告)日：

2025-03-28

发明(设计)人：

秦晓素薛运周何少龙

申请人：

宁波盈创科技成果转化服务合伙企业（有限合伙）

申请人地址：

315201 浙江省宁波市镇海区庄市街道中官西路777号科创大厦17楼149室

IPC主分类号：

C30B25/18

IPC分类号：

H01L21/02 C30B29/36 C30B25/20 C30B25/16

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

孙璐璐

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/18申请日:20241111
2025-11-28	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移IPC(主分类):C30B 25/18登记生效日:20251113变更事项:申请人变更前权利人:宁波盈创科技成果转化服务合伙企业（有限合伙）变更后权利人:浙江六方半导体科技有限公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:315201 浙江省宁波市镇海区庄市街道中官西路777号科创大厦17楼149室变更后权利人:311800 浙江省绍兴市诸暨市陶朱街道千禧路9号9号楼
2025-03-28	公开	公开

共 50 条

[1]

一种3C-SiC外延层及其制备方法 [P].

张翅腾飞 ;

章嵩 ;

涂溶 ;

张联盟 .

中国专利 :CN121023637A ,2025-11-28

[2]

3C-SiC外延片及其制备方法 [P].

宫清 ;

巩泉雨 ;

区灿林 ;

谢春林 ;

周维 .

中国专利 :CN119753832A ,2025-04-04

[3]

多型SiC异质外延生长制备3C-SiC方法 [P].

杜凯 ;

杨军伟 ;

郭松波 ;

宋华平 .

中国专利 :CN121183416A ,2025-12-23

[4]

一种3C-SiC复合结构及其制备方法 [P].

李赟 ;

赵志飞 ;

王翼 ;

熊瑞 ;

曹越 ;

姜海涛 .

中国专利 :CN118712208A ,2024-09-27

[5]

外延结构、外延结构的制备方法和半导体器件 [P].

张晖 ;

李仕强 .

中国专利 :CN115117165A ,2022-09-27

[6]

3C-SiC单晶外延基板的制造方法、3C-SiC自支撑基板的制造方法及3C-SiC单晶外延基板 [P].

大槻刚 ;

阿部达夫 ;

铃木温 ;

松原寿树 .

日本专利 :CN120418486A ,2025-08-01

[7]

一种表征3C-SiC外延层结晶质量的方法及表征3C-SiC衬底结晶质量的方法 [P].

宋猛 ;

王凯 ;

舒天宇 ;

王旗 ;

俆光明 ;

刘硕 ;

高超 .

中国专利 :CN118980700A ,2024-11-19

[8]

一种3C-SiC外延结构 [P].

左万胜 ;

钮应喜 ;

刘洋 ;

张晓洪 ;

刘锦锦 ;

袁松 ;

史田超 ;

史文华 ;

钟敏 .

中国专利 :CN212783457U ,2021-03-23

[9]

一种3C-SiC外延结构 [P].

左万胜 ;

钮应喜 ;

刘洋 ;

张晓洪 ;

刘锦锦 ;

袁松 ;

史田超 ;

史文华 ;

钟敏 .

中国专利 :CN111599854A ,2020-08-28

[10]

单晶3C-SiC基板的制造方法以及通过该方法获得的单晶3C-SiC基板 [P].

浅村英俊 ;

川村启介 ;

小原智 .

中国专利 :CN102822395A ,2012-12-12

← 1 2 3 4 5 →