一种3C-SiC外延结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202021004778.7

申请日：

2020-06-04

公开(公告)号：

CN212783457U

公开(公告)日：

2021-03-23

发明(设计)人：

左万胜钮应喜刘洋张晓洪刘锦锦袁松史田超史文华钟敏

申请人：

申请人地址：

241000 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

代理机构：

芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107

代理人：

尹婷婷

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-23	授权	授权
2022-08-19	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 29/06 变更事项:专利权人变更前:芜湖启迪半导体有限公司变更后:安徽长飞先进半导体有限公司变更事项:地址变更前:241000 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803 变更后:241000 安徽省芜湖市高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803

共 50 条

[1]

一种3C-SiC外延结构 [P].

左万胜 ;

钮应喜 ;

刘洋 ;

张晓洪 ;

刘锦锦 ;

袁松 ;

史田超 ;

史文华 ;

钟敏 .

中国专利 :CN111599854A ,2020-08-28

[2]

一种含超级结的3C-SiC外延结构 [P].

左万胜 ;

钮应喜 ;

乔庆楠 ;

刘洋 ;

张晓洪 ;

刘锦锦 ;

袁松 ;

史田超 ;

史文华 ;

钟敏 .

中国专利 :CN211907437U ,2020-11-10

[3]

3C-SiC外延片及其制备方法 [P].

宫清 ;

巩泉雨 ;

区灿林 ;

谢春林 ;

周维 .

中国专利 :CN119753832A ,2025-04-04

[4]

一种含超级结的3C-SiC外延结构及其制备方法 [P].

左万胜 ;

钮应喜 ;

乔庆楠 ;

刘洋 ;

张晓洪 ;

刘锦锦 ;

袁松 ;

史田超 ;

史文华 ;

钟敏 .

中国专利 :CN111477542A ,2020-07-31

[5]

一种3C-SiC外延层及其制备方法 [P].

张翅腾飞 ;

章嵩 ;

涂溶 ;

张联盟 .

中国专利 :CN121023637A ,2025-11-28

[6]

一种高均一性3C-SiC外延片 [P].

王凯 ;

李函朔 ;

项荣欣 ;

舒天宇 ;

宋猛 ;

张九阳 ;

王旗 ;

刘硕 ;

徐光明 ;

李霞 .

中国专利 :CN117766558A ,2024-03-26

[7]

3C-SiC单晶外延基板的制造方法、3C-SiC自支撑基板的制造方法及3C-SiC单晶外延基板 [P].

大槻刚 ;

阿部达夫 ;

铃木温 ;

松原寿树 .

日本专利 :CN120418486A ,2025-08-01

[8]

一种基于4H-SiC的3C-SiC复合外延结构及器件结构 [P].

袁俊 ;

吴阳阳 ;

彭若诗 ;

陈伟 ;

王宽 ;

郭飞 ;

成志杰 ;

徐少东 ;

朱厉阳 ;

李明哲 .

中国专利 :CN119997582B ,2025-07-04

[9]

一种基于4H-SiC的3C-SiC复合外延结构及器件结构 [P].

袁俊 ;

吴阳阳 ;

彭若诗 ;

陈伟 ;

王宽 ;

郭飞 ;

成志杰 ;

徐少东 ;

朱厉阳 ;

李明哲 .

中国专利 :CN119997582A ,2025-05-13

[10]

一种高质量结晶的3C-SiC外延片 [P].

王凯 ;

李函朔 ;

项荣欣 ;

舒天宇 ;

宋猛 ;

张九阳 ;

王旗 ;

刘硕 ;

徐光明 ;

李霞 .

中国专利 :CN117766557A ,2024-03-26

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