3C-SiC单晶外延基板的制造方法、3C-SiC自支撑基板的制造方法及3C-SiC单晶外延基板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380090205.0

申请日：

2023-10-03

公开(公告)号：

CN120418486A

公开(公告)日：

2025-08-01

发明(设计)人：

大槻刚阿部达夫铃木温松原寿树

申请人：

信越半导体株式会社

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B29/36

IPC分类号：

C30B33/02 C30B25/18 C23C16/42

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

陈玉净;谢顺星

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/36申请日:20231003
2025-08-01	公开	公开

共 50 条

[1]

3C-SiC层叠基板的制造方法、3C-SiC层叠基板及3C-SiC自立基板 [P].

大规刚 ;

松原寿树 ;

铃木温 ;

阿部达夫 .

日本专利 :CN119677900A ,2025-03-21

[2]

单晶3C-SiC基板的制造方法以及通过该方法获得的单晶3C-SiC基板 [P].

浅村英俊 ;

川村启介 ;

小原智 .

中国专利 :CN102822395A ,2012-12-12

[3]

用于制备3C-SiC单晶的方法 [P].

陈小龙 ;

李辉 ;

王国宾 ;

盛达 ;

王文军 ;

郭建刚 .

中国专利 :CN115976625B ,2024-03-05

[4]

3C-SiC外延片及其制备方法 [P].

宫清 ;

巩泉雨 ;

区灿林 ;

谢春林 ;

周维 .

中国专利 :CN119753832A ,2025-04-04

[5]

多型SiC异质外延生长制备3C-SiC方法 [P].

杜凯 ;

杨军伟 ;

郭松波 ;

宋华平 .

中国专利 :CN121183416A ,2025-12-23

[6]

一种3C-SiC外延结构 [P].

左万胜 ;

钮应喜 ;

刘洋 ;

张晓洪 ;

刘锦锦 ;

袁松 ;

史田超 ;

史文华 ;

钟敏 .

中国专利 :CN212783457U ,2021-03-23

[7]

一种3C-SiC外延结构 [P].

左万胜 ;

钮应喜 ;

刘洋 ;

张晓洪 ;

刘锦锦 ;

袁松 ;

史田超 ;

史文华 ;

钟敏 .

中国专利 :CN111599854A ,2020-08-28

[8]

一种表征3C-SiC外延层结晶质量的方法及表征3C-SiC衬底结晶质量的方法 [P].

宋猛 ;

王凯 ;

舒天宇 ;

王旗 ;

俆光明 ;

刘硕 ;

高超 .

中国专利 :CN118980700A ,2024-11-19

[9]

一种3C-SiC外延层及其制备方法 [P].

张翅腾飞 ;

章嵩 ;

涂溶 ;

张联盟 .

中国专利 :CN121023637A ,2025-11-28

[10]

3C-SiC纳米颗粒的改性方法 [P].

王静 ;

吴兴龙 ;

徐威 ;

沈剑沧 .

中国专利 :CN102127432A ,2011-07-20

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