3C-SiC纳米颗粒的改性方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110005589.0

申请日：

2011-01-12

公开(公告)号：

CN102127432A

公开(公告)日：

2011-07-20

发明(设计)人：

王静吴兴龙徐威沈剑沧

申请人：

申请人地址：

210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号

IPC主分类号：

C09K1165

IPC分类号：

B82Y4000

代理机构：

南京天翼专利代理有限责任公司 32112

代理人：

周静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-07-20	公开	公开
2014-05-21	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101701143050 IPC(主分类):C09K 11/65 专利申请号:2011100055890 申请公布日:20110720
2011-08-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101102910168 IPC(主分类):C09K 11/65 专利申请号:2011100055890 申请日:20110112

共 50 条

[1]

化学腐蚀法制备3C-SiC纳米颗粒的方法 [P].

朱骏 ;

吴兴龙 ;

沈剑沧 ;

刘钊 .

中国专利 :CN100551997C ,2007-10-24

[2]

3C-SiC层叠基板的制造方法、3C-SiC层叠基板及3C-SiC自立基板 [P].

大规刚 ;

松原寿树 ;

铃木温 ;

阿部达夫 .

日本专利 :CN119677900A ,2025-03-21

[3]

激光烧蚀法制备粒径2 nm的3C-SiC纳米颗粒 [P].

朱骏 ;

胡珊 ;

陈小兵 ;

朱爱萍 .

中国专利 :CN103754879B ,2014-04-30

[4]

3C-SiC单晶外延基板的制造方法、3C-SiC自支撑基板的制造方法及3C-SiC单晶外延基板 [P].

大槻刚 ;

阿部达夫 ;

铃木温 ;

松原寿树 .

日本专利 :CN120418486A ,2025-08-01

[5]

利用3C-SiC纳米颗粒光致发光谱测量细胞内pH的方法 [P].

郭俊宏 ;

吴兴龙 ;

沈剑沧 .

中国专利 :CN102590154A ,2012-07-18

[6]

基于多巴胺改性的3C-SiC纳米晶杂化薄膜的制备 [P].

何芳 ;

李凤娇 ;

黄远 ;

陈利霞 ;

李俊姣 ;

丘晓文 .

中国专利 :CN103626402B ,2014-03-12

[7]

3C-SiC外延片及其制备方法 [P].

宫清 ;

巩泉雨 ;

区灿林 ;

谢春林 ;

周维 .

中国专利 :CN119753832A ,2025-04-04

[8]

用于制备3C-SiC单晶的方法 [P].

陈小龙 ;

李辉 ;

王国宾 ;

盛达 ;

王文军 ;

郭建刚 .

中国专利 :CN115976625B ,2024-03-05

[9]

单晶3C-SiC基板的制造方法以及通过该方法获得的单晶3C-SiC基板 [P].

浅村英俊 ;

川村启介 ;

小原智 .

中国专利 :CN102822395A ,2012-12-12

[10]

快速制备3C-SiC外延膜方法 [P].

涂溶 ;

孙清云 ;

章嵩 ;

张联盟 .

中国专利 :CN104152986A ,2014-11-19

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