基于多巴胺改性的3C-SiC纳米晶杂化薄膜的制备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310632127.0

申请日：

2013-11-28

公开(公告)号：

CN103626402B

公开(公告)日：

2014-03-12

发明(设计)人：

何芳李凤娇黄远陈利霞李俊姣丘晓文

申请人：

申请人地址：

300072 天津市南开区卫津路92号

IPC主分类号：

C03C1700

IPC分类号：

代理机构：

天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201

代理人：

程毓英

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-12	公开	公开
2014-04-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581315660 IPC(主分类):C03C 17/00 专利申请号:2013106321270 申请日:20131128
2015-11-04	授权	授权
2021-11-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C03C 17/00 申请日:20131128 授权公告日:20151104 终止日期:20201128

共 50 条

[1]

3C-SiC纳米颗粒的改性方法 [P].

王静 ;

吴兴龙 ;

徐威 ;

沈剑沧 .

中国专利 :CN102127432A ,2011-07-20

[2]

一种3C-SiC薄膜的制备方法 [P].

范梦慧 ;

谢泉 ;

艾学正 ;

王凯 ;

杨云飞 ;

李鑫 .

中国专利 :CN111809149B ,2020-10-23

[3]

3C-SiC层叠基板的制造方法、3C-SiC层叠基板及3C-SiC自立基板 [P].

大规刚 ;

松原寿树 ;

铃木温 ;

阿部达夫 .

日本专利 :CN119677900A ,2025-03-21

[4]

用于制备3C-SiC单晶的方法 [P].

陈小龙 ;

李辉 ;

王国宾 ;

盛达 ;

王文军 ;

郭建刚 .

中国专利 :CN115976625B ,2024-03-05

[5]

化学腐蚀法制备3C-SiC纳米颗粒的方法 [P].

朱骏 ;

吴兴龙 ;

沈剑沧 ;

刘钊 .

中国专利 :CN100551997C ,2007-10-24

[6]

一种3C-SiC单晶体的制备方法 [P].

黄秀松 ;

郭超 ;

母凤文 .

中国专利 :CN117418309A ,2024-01-19

[7]

一种3C-SiC单晶体的制备方法 [P].

黄秀松 ;

郭超 ;

母凤文 .

中国专利 :CN117418309B ,2024-03-08

[8]

3C-SiC晶圆及其制备方法与应用 [P].

秦晓素 ;

薛运周 ;

何少龙 .

中国专利 :CN121123005A ,2025-12-12

[9]

单晶硅上3C-SiC纳米线功能复合网络薄膜及其制备方法和应用 [P].

苏莹 ;

翟配郴 ;

丁利苹 ;

娄瑞 ;

尉国栋 .

中国专利 :CN115360263A ,2022-11-18

[10]

单晶硅上3C-SiC纳米线功能复合网络薄膜及其制备方法和应用 [P].

苏莹 ;

翟配郴 ;

丁利苹 ;

娄瑞 ;

尉国栋 .

中国专利 :CN115360263B ,2025-05-06

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