单晶硅上3C-SiC纳米线功能复合网络薄膜及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210998116.3

申请日：

2022-08-19

公开(公告)号：

CN115360263B

公开(公告)日：

2025-05-06

发明(设计)人：

苏莹翟配郴丁利苹娄瑞尉国栋

申请人：

陕西科技大学

申请人地址：

710021 陕西省西安市未央大学园区

IPC主分类号：

H10F71/00

IPC分类号：

H10F77/1226 H10F77/12 H10F77/14 H10F77/16 B82Y30/00 B82Y40/00

代理机构：

西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223

代理人：

庄华红

法律状态：

授权

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-06	授权	授权

共 50 条

[1]

单晶硅上3C-SiC纳米线功能复合网络薄膜及其制备方法和应用 [P].

苏莹 ;

翟配郴 ;

丁利苹 ;

娄瑞 ;

尉国栋 .

中国专利 :CN115360263A ,2022-11-18

[2]

一种SiC纳米线网络功能薄膜及其制备方法和应用 [P].

苏莹 ;

丁利苹 ;

娄瑞 ;

刘雪冰 ;

翟配郴 ;

尉国栋 .

中国专利 :CN115411141B ,2025-07-18

[3]

一种SiC纳米线网络功能薄膜及其制备方法和应用 [P].

苏莹 ;

丁利苹 ;

娄瑞 ;

刘雪冰 ;

翟配郴 ;

尉国栋 .

中国专利 :CN115411141A ,2022-11-29

[4]

Si基“反向外延”3C-SiC单晶薄膜及其制备方法 [P].

杨治美 ;

龚敏 ;

孙小松 .

中国专利 :CN101942696A ,2011-01-12

[5]

一种SiC纳米线核壳异质结材料及其制备方法和应用 [P].

苏莹 ;

翟配郴 ;

丁利苹 ;

娄瑞 ;

尉国栋 .

中国专利 :CN115360253A ,2022-11-18

[6]

一种SiC纳米线核壳异质结材料及其制备方法和应用 [P].

苏莹 ;

翟配郴 ;

丁利苹 ;

娄瑞 ;

尉国栋 .

中国专利 :CN115360253B ,2025-07-18

[7]

一种单晶硅衬底上制备硅纳米线的方法 [P].

范春晖 .

中国专利 :CN102496563A ,2012-06-13

[8]

一种单晶硅衬底上制备硅纳米线的方法 [P].

范春晖 ;

王全 .

中国专利 :CN103021806A ,2013-04-03

[9]

用于制备3C-SiC单晶的方法 [P].

陈小龙 ;

李辉 ;

王国宾 ;

盛达 ;

王文军 ;

郭建刚 .

中国专利 :CN115976625B ,2024-03-05

[10]

一种SiC纳米线功能薄膜的制备方法 [P].

牛晓巍 ;

刘雪冰 ;

王紫暄 ;

马馨宇 ;

阳肖 ;

杨兆滢 ;

翟配郴 ;

尉国栋 .

中国专利 :CN115312373A ,2022-11-08

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