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一种SiC纳米线网络功能薄膜及其制备方法和应用

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202211003500.1
申请日：
2022-08-19
公开(公告)号：
CN115411141B
公开(公告)日：
2025-07-18
发明(设计)人：
苏莹 丁利苹 娄瑞 刘雪冰 翟配郴 尉国栋
申请人：
陕西科技大学
申请人地址：
710021 陕西省西安市未央大学园区
IPC主分类号：
H10F71/00
IPC分类号：
B82Y30/00 B82Y40/00 H10F30/00 H10F77/14 H10F77/1226
代理机构：
西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223
代理人：
庄华红
法律状态：
授权
国省代码：
陕西省 西安市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-07-18 授权 授权
共 50 条
[1]
一种SiC纳米线网络功能薄膜及其制备方法和应用 [P]. 
苏莹 ;
丁利苹 ;
娄瑞 ;
刘雪冰 ;
翟配郴 ;
尉国栋 .
中国专利 :CN115411141A ,2022-11-29
[2]
单晶硅上3C-SiC纳米线功能复合网络薄膜及其制备方法和应用 [P]. 
苏莹 ;
翟配郴 ;
丁利苹 ;
娄瑞 ;
尉国栋 .
中国专利 :CN115360263A ,2022-11-18
[3]
单晶硅上3C-SiC纳米线功能复合网络薄膜及其制备方法和应用 [P]. 
苏莹 ;
翟配郴 ;
丁利苹 ;
娄瑞 ;
尉国栋 .
中国专利 :CN115360263B ,2025-05-06
[4]
一种SiC纳米线核壳异质结材料及其制备方法和应用 [P]. 
苏莹 ;
翟配郴 ;
丁利苹 ;
娄瑞 ;
尉国栋 .
中国专利 :CN115360253A ,2022-11-18
[5]
一种SiC纳米线核壳异质结材料及其制备方法和应用 [P]. 
苏莹 ;
翟配郴 ;
丁利苹 ;
娄瑞 ;
尉国栋 .
中国专利 :CN115360253B ,2025-07-18
[6]
一种SiC纳米线功能薄膜的制备方法 [P]. 
牛晓巍 ;
刘雪冰 ;
王紫暄 ;
马馨宇 ;
阳肖 ;
杨兆滢 ;
翟配郴 ;
尉国栋 .
中国专利 :CN115312373A ,2022-11-08
[7]
一种SiC纳米线功能薄膜的制备方法 [P]. 
牛晓巍 ;
刘雪冰 ;
王紫暄 ;
马馨宇 ;
阳肖 ;
杨兆滢 ;
翟配郴 ;
尉国栋 .
中国专利 :CN115312373B ,2024-07-02
[8]
一种SiC纳米线及其制备方法和应用 [P]. 
唐永炳 ;
徐阳 ;
王陶 ;
蔡菁华 .
中国专利 :CN110589832A ,2019-12-20
[9]
一种SiC纳米线网络增强层状多孔SiC陶瓷及其制备方法 [P]. 
王红洁 ;
杨宇航 ;
庄磊 ;
卢德 ;
苏磊 ;
牛敏 ;
彭康 .
中国专利 :CN114702328A ,2022-07-05
[10]
一种镁纳米线薄膜及其制备方法和应用 [P]. 
梁慧 .
中国专利 :CN113061860B ,2021-07-02
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