一种镁纳米线薄膜及其制备方法和应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110308343.4
申请日
2021-03-23
公开(公告)号
CN113061860B
公开(公告)日
2021-07-02
发明(设计)人
梁慧
申请人
申请人地址
221018 江苏省徐州市云龙区丽水路2号
IPC主分类号
C23C1435
IPC分类号
C23C1418 C23C1416 B82Y4000 B82Y3000 H01M804082
代理机构
北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385
代理人
戴嵩玮
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种ZnSe纳米线及其制备方法和应用 [P]. 
亚瑟·阿巴斯 ;
张凯 ;
宫建茹 .
中国专利 :CN106929820A ,2017-07-07
[2]
一种SiC纳米线网络功能薄膜及其制备方法和应用 [P]. 
苏莹 ;
丁利苹 ;
娄瑞 ;
刘雪冰 ;
翟配郴 ;
尉国栋 .
中国专利 :CN115411141B ,2025-07-18
[3]
一种SiC纳米线网络功能薄膜及其制备方法和应用 [P]. 
苏莹 ;
丁利苹 ;
娄瑞 ;
刘雪冰 ;
翟配郴 ;
尉国栋 .
中国专利 :CN115411141A ,2022-11-29
[4]
一种镁铝醇化物纳米线及其制备方法和应用 [P]. 
颜泽华 ;
赵翔忠 ;
孙洋 ;
崔祥琳 .
中国专利 :CN116332725B ,2024-12-17
[5]
银纳米线透明导电薄膜及其制备方法和应用 [P]. 
郑博达 ;
陈洁 ;
汪聪 ;
陈鸿武 .
中国专利 :CN114373584A ,2022-04-19
[6]
一种多孔金纳米线及其制备方法和应用 [P]. 
陆跃翔 ;
袁航 ;
王哲 ;
王玉兰 ;
陈靖 .
中国专利 :CN104942281B ,2015-09-30
[7]
一种银纳米线透明导电薄膜及其制备方法和应用 [P]. 
曹国俊 ;
杨宁宁 ;
王成 .
中国专利 :CN110957059A ,2020-04-03
[8]
ZnO纳米线及其制备方法和应用 [P]. 
杨哲 ;
安飞 ;
朱亮 ;
王浩志 ;
李庆润 ;
邱长坤 ;
吕广宁 ;
孙冉 .
中国专利 :CN120793997A ,2025-10-17
[9]
银纳米线及其制备方法和应用 [P]. 
郑俊威 .
中国专利 :CN110722174B ,2020-01-24
[10]
一种硅纳米线及其制备方法和应用 [P]. 
杨宁宁 ;
廖健淞 ;
黄艳萍 ;
杨淋 ;
李钧 ;
刘中才 ;
郑春红 ;
范磊 .
中国专利 :CN117976820A ,2024-05-03