一种SiC纳米线及其制备方法和应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910903443.4
申请日
2019-09-24
公开(公告)号
CN110589832A
公开(公告)日
2019-12-20
发明(设计)人
唐永炳 徐阳 王陶 蔡菁华
申请人
申请人地址
518000 广东省深圳市南山区深圳大学城学苑大道1068号
IPC主分类号
C01B32977
IPC分类号
代理机构
深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414
代理人
黄志云
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种ZnSe纳米线及其制备方法和应用 [P]. 
亚瑟·阿巴斯 ;
张凯 ;
宫建茹 .
中国专利 :CN106929820A ,2017-07-07
[2]
一种SiC纳米线网络功能薄膜及其制备方法和应用 [P]. 
苏莹 ;
丁利苹 ;
娄瑞 ;
刘雪冰 ;
翟配郴 ;
尉国栋 .
中国专利 :CN115411141B ,2025-07-18
[3]
一种SiC纳米线网络功能薄膜及其制备方法和应用 [P]. 
苏莹 ;
丁利苹 ;
娄瑞 ;
刘雪冰 ;
翟配郴 ;
尉国栋 .
中国专利 :CN115411141A ,2022-11-29
[4]
一种SiC纳米线增强高熵多孔陶瓷及其制备方法和应用 [P]. 
钱益锋 ;
李翠艳 ;
欧阳海波 ;
申天展 ;
何梦瑶 ;
高瑞楠 ;
陈子浩 .
中国专利 :CN120136552A ,2025-06-13
[5]
一种红磷纳米线及其制备方法和应用 [P]. 
冯杨阳 ;
张婷 ;
宋江选 .
中国专利 :CN113753869A ,2021-12-07
[6]
一种红磷纳米线及其制备方法和应用 [P]. 
冯杨阳 ;
张婷 ;
宋江选 .
中国专利 :CN113753869B ,2024-03-29
[7]
一种SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料及其制备方法 [P]. 
杨丽霞 ;
丁扬 ;
陈照峰 .
中国专利 :CN114573357A ,2022-06-03
[8]
一种SiC纳米线核壳异质结材料及其制备方法和应用 [P]. 
苏莹 ;
翟配郴 ;
丁利苹 ;
娄瑞 ;
尉国栋 .
中国专利 :CN115360253A ,2022-11-18
[9]
一种SiC纳米线核壳异质结材料及其制备方法和应用 [P]. 
苏莹 ;
翟配郴 ;
丁利苹 ;
娄瑞 ;
尉国栋 .
中国专利 :CN115360253B ,2025-07-18
[10]
一种制备SiC纳米线和纳米带的方法 [P]. 
李贺军 ;
褚衍辉 ;
付前刚 ;
李克智 .
中国专利 :CN102491331B ,2012-06-13