一种制备SiC纳米线和纳米带的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110359635.7

申请日：

2011-11-15

公开(公告)号：

CN102491331B

公开(公告)日：

2012-06-13

发明(设计)人：

李贺军褚衍辉付前刚李克智

申请人：

申请人地址：

710072 陕西省西安市友谊西路127号

IPC主分类号：

C01B3136

IPC分类号：

B82Y4000

代理机构：

西北工业大学专利中心 61204

代理人：

王鲜凯

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-06-13	公开	公开
2013-02-20	授权	授权
2012-07-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101298511143 IPC(主分类):C01B 31/36 专利申请号:2011103596357 申请日:20111115

共 50 条

[1]

一种制备SiC纳米线的方法 [P].

潘建梅 ;

程晓农 ;

严学华 ;

张成华 ;

卢青波 .

中国专利 :CN103253671A ,2013-08-21

[2]

SiC纳米线的制备方法 [P].

温广武 ;

黄小萧 ;

张晓东 ;

王声函 ;

马飞翔 ;

李峰 ;

朱建东 .

中国专利 :CN101597059A ,2009-12-09

[3]

一种Au纳米颗粒修饰SiC纳米线的制备方法 [P].

杨为佑 ;

陈强 ;

陈善亮 .

中国专利 :CN105428184B ,2016-03-23

[4]

一种C/C复合材料表面SiC纳米线和纳米带的制备方法 [P].

强新发 ;

王章忠 ;

巴志新 ;

章晓波 ;

张保森 .

中国专利 :CN105648418A ,2016-06-08

[5]

一种制备SiC纳米线的方法 [P].

张俊才 ;

赵志凤 ;

毕健聪 ;

高薇 ;

李长青 ;

高丽敏 .

中国专利 :CN104445201A ,2015-03-25

[6]

快速制备SiC纳米线的方法 [P].

张亚非 ;

王峰磊 ;

张丽英 .

中国专利 :CN101327929B ,2008-12-24

[7]

一种制备竹节状SiC纳米线的方法 [P].

强新发 ;

王章忠 ;

巴志新 ;

章晓波 ;

张保森 .

中国专利 :CN105483645A ,2016-04-13

[8]

一维SiC纳米线的制备方法 [P].

康鹏超 ;

武高辉 ;

苏军 .

中国专利 :CN100488873C ,2007-10-10

[9]

一种制备SiC纳米线阵列的方法 [P].

师文生 ;

刘海龙 ;

佘广为 ;

凌世婷 .

中国专利 :CN101613881A ,2009-12-30

[10]

一种超长SiC纳米线的制备方法 [P].

张幸红 ;

方成 ;

董顺 ;

胡平 .

中国专利 :CN104773735A ,2015-07-15

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