一种3C-SiC单晶体的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311734691.3

申请日：

2023-12-18

公开(公告)号：

CN117418309B

公开(公告)日：

2024-03-08

发明(设计)人：

黄秀松郭超母凤文

申请人：

北京青禾晶元半导体科技有限责任公司青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司

申请人地址：

100083 北京市海淀区花园北路25号小关(厂南区)4号楼1层146

IPC主分类号：

C30B25/18

IPC分类号：

C30B29/36 C30B33/08

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

曾菊花

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-21	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更IPC(主分类):C30B 25/18变更事项:专利权人变更前:北京青禾晶元半导体科技有限责任公司变更后:青禾晶元半导体科技（集团）有限责任公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:100083 北京市海淀区花园北路25号小关(厂南区)4号楼1层146变更后:300451 天津市滨海新区天津滨海高新区塘沽海洋科技园新北路4668号创新创业园22-A号厂房二层C角变更事项:专利权人变更前:青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司变更后:青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国
2024-01-19	公开	公开
2024-03-08	授权	授权
2024-02-06	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/18申请日:20231218

共 50 条

[1]

一种3C-SiC单晶体的制备方法 [P].

黄秀松 ;

郭超 ;

母凤文 .

中国专利 :CN117418309A ,2024-01-19

[2]

一种高热导率3C-SiC多晶基板及其制备方法 [P].

黄秀松 ;

郭超 ;

母凤文 .

中国专利 :CN117438391A ,2024-01-23

[3]

一种高热导率3C-SiC多晶基板及其制备方法 [P].

黄秀松 ;

郭超 ;

母凤文 .

中国专利 :CN117438391B ,2024-03-15

[4]

用于制备3C-SiC单晶的方法 [P].

陈小龙 ;

李辉 ;

王国宾 ;

盛达 ;

王文军 ;

郭建刚 .

中国专利 :CN115976625B ,2024-03-05

[5]

3C-SiC单晶外延基板的制造方法、3C-SiC自支撑基板的制造方法及3C-SiC单晶外延基板 [P].

大槻刚 ;

阿部达夫 ;

铃木温 ;

松原寿树 .

日本专利 :CN120418486A ,2025-08-01

[6]

SiC单晶体的制造装置和SiC单晶体的制造方法 [P].

冈田信宏 ;

龟井一人 ;

楠一彦 ;

矢代将齐 ;

森口晃治 ;

大黑宽典 ;

铃木宽 ;

石井伴和 ;

坂元秀光 ;

加渡干尚 ;

河合洋一郎 .

中国专利 :CN103282559B ,2013-09-04

[7]

SiC单晶体的制造装置以及SiC单晶体的制造方法 [P].

楠一彦 ;

龟井一人 ;

矢代将齐 ;

冈田信宏 ;

大黑宽典 ;

加渡干尚 ;

坂元秀光 .

中国专利 :CN103620094A ,2014-03-05

[8]

SiC单晶体的制造装置和SiC单晶体的制造方法 [P].

冈田信宏 ;

龟井一人 ;

楠一彦 ;

矢代将齐 ;

森口晃治 ;

大黑宽典 ;

加渡幹尚 ;

坂元秀光 .

中国专利 :CN104471117B ,2015-03-25

[9]

SiC单晶体的制造方法 [P].

加渡干尚 ;

楠一彦 ;

龟井一人 .

中国专利 :CN104603336A ,2015-05-06

[10]

单晶3C-SiC基板的制造方法以及通过该方法获得的单晶3C-SiC基板 [P].

浅村英俊 ;

川村启介 ;

小原智 .

中国专利 :CN102822395A ,2012-12-12

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