SiC单晶体的制造装置和SiC单晶体的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380035985.5

申请日：

2013-07-10

公开(公告)号：

CN104471117B

公开(公告)日：

2015-03-25

发明(设计)人：

冈田信宏龟井一人楠一彦矢代将齐森口晃治大黑宽典加渡幹尚坂元秀光

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B1906

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;张会华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-25	公开	公开
2015-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101607356427 IPC(主分类):C30B 29/36 专利申请号:2013800359855 申请日:20130710
2016-10-05	授权	授权
2017-12-22	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 29/36 登记生效日:20171201 变更事项:专利权人变更前权利人:新日铁住金株式会社变更后权利人:丰田自动车株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本爱知县变更事项:共同专利权人变更前权利人:丰田自动车株式会社

共 50 条

[1]

SiC单晶体的制造装置和SiC单晶体的制造方法 [P].

冈田信宏 ;

龟井一人 ;

楠一彦 ;

矢代将齐 ;

森口晃治 ;

大黑宽典 ;

铃木宽 ;

石井伴和 ;

坂元秀光 ;

加渡干尚 ;

河合洋一郎 .

中国专利 :CN103282559B ,2013-09-04

[2]

SiC单晶体的制造装置以及SiC单晶体的制造方法 [P].

楠一彦 ;

龟井一人 ;

矢代将齐 ;

冈田信宏 ;

大黑宽典 ;

加渡干尚 ;

坂元秀光 .

中国专利 :CN103620094A ,2014-03-05

[3]

SiC单晶体的制造方法 [P].

加渡干尚 ;

楠一彦 ;

龟井一人 .

中国专利 :CN104603336A ,2015-05-06

[4]

SiC单晶体的制造装置、在制造装置中使用的夹具以及SiC单晶体的制造方法 [P].

龟井一人 ;

楠一彦 ;

矢代将齐 ;

冈田信宏 ;

加渡干尚 ;

坂元秀光 ;

大黑宽典 .

中国专利 :CN103282558A ,2013-09-04

[5]

单晶体的制造方法和制造装置 [P].

佐藤利行 .

中国专利 :CN105543950B ,2016-05-04

[6]

单晶制造装置、单晶制造方法及单晶体 [P].

永井邦彦 ;

小平纮平 ;

田中启之 ;

坂本英树 .

中国专利 :CN1272145A ,2000-11-01

[7]

基于溶液生长法的SiC单晶体的制造装置及其坩埚 [P].

龟井一人 ;

楠一彦 ;

矢代将齐 ;

冈田信宏 ;

大黑宽典 ;

加渡干尚 ;

坂元秀光 .

中国专利 :CN103597129B ,2014-02-19

[8]

用于制造至少一种SiC单晶体的装置和方法 [P].

勒内·斯坦 ;

约翰尼斯·沃尔克尔 ;

哈拉尔德·库恩 ;

罗兰·鲁普 .

中国专利 :CN1308690A ,2001-08-15

[9]

蓝宝石单晶体的制造装置 [P].

干川圭吾 ;

宫川千宏 ;

中村太一 ;

小林拓实 .

中国专利 :CN102191535B ,2011-09-21

[10]

SiC单晶制造装置和SiC单晶的制造方法 [P].

藤川阳平 .

中国专利 :CN111188089A ,2020-05-22

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