SiC单晶制造装置和SiC单晶的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911092363.1

申请日：

2019-11-11

公开(公告)号：

CN111188089A

公开(公告)日：

2020-05-22

发明(设计)人：

藤川阳平

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2300

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

王潇悦;段承恩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-22	公开	公开
2022-02-25	授权	授权
2020-06-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20191111

共 50 条

[1]

SiC单晶的制造方法和SiC单晶的制造装置 [P].

楠一彦 ;

龟井一人 ;

关和明 ;

岸田豊 ;

森口晃治 ;

海藤宏志 ;

大黑宽典 ;

土井雅喜 .

中国专利 :CN107075726A ,2017-08-18

[2]

SiC单晶的制造装置和SiC单晶的制造方法 [P].

岸田豊 ;

龟井一人 ;

大黑宽典 ;

土井雅喜 .

中国专利 :CN106795648A ,2017-05-31

[3]

SiC单晶的制造方法、SiC单晶的制造装置以及SiC单晶晶片 [P].

金子忠昭 .

中国专利 :CN114423889A ,2022-04-29

[4]

SiC单晶的制造方法、SiC单晶的制造装置以及SiC单晶晶片 [P].

金子忠昭 .

日本专利 :CN114423889B ,2024-07-09

[5]

SiC单晶生长用坩埚、SiC单晶的制造方法及SiC单晶制造装置 [P].

藤川阳平 .

中国专利 :CN111424311B ,2020-07-17

[6]

SiC单晶的制造方法和制造装置 [P].

大黑宽典 ;

龟井一人 .

中国专利 :CN103562443B ,2014-02-05

[7]

SiC单晶的制造方法和制造装置 [P].

土井雅喜 ;

大黑宽典 ;

加渡干尚 ;

佐藤友大 ;

关和明 ;

楠一彦 ;

岸田丰 .

中国专利 :CN108796609A ,2018-11-13

[8]

SiC单晶制造装置 [P].

歌代智也 .

中国专利 :CN111058094A ,2020-04-24

[9]

SiC单晶制造装置 [P].

石田虎太郎 .

中国专利 :CN110878428A ,2020-03-13

[10]

SiC单晶体的制造装置和SiC单晶体的制造方法 [P].

冈田信宏 ;

龟井一人 ;

楠一彦 ;

矢代将齐 ;

森口晃治 ;

大黑宽典 ;

加渡幹尚 ;

坂元秀光 .

中国专利 :CN104471117B ,2015-03-25

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