SiC单晶的制造装置和SiC单晶的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580054987.8

申请日：

2015-10-07

公开(公告)号：

CN106795648A

公开(公告)日：

2017-05-31

发明(设计)人：

岸田豊龟井一人大黑宽典土井雅喜

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B1910 C30B3004 H01L21208

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;张会华

法律状态：

发明专利申请公布后的撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-26	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C30B 29/36 申请公布日:20170531
2017-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101729324143 IPC(主分类):C30B 29/36 专利申请号:2015800549878 申请日:20151007
2017-05-31	公开	公开

共 50 条

[1]

SiC单晶制造装置和SiC单晶的制造方法 [P].

藤川阳平 .

中国专利 :CN111188089A ,2020-05-22

[2]

SiC单晶的制造方法和SiC单晶的制造装置 [P].

楠一彦 ;

龟井一人 ;

关和明 ;

岸田豊 ;

森口晃治 ;

海藤宏志 ;

大黑宽典 ;

土井雅喜 .

中国专利 :CN107075726A ,2017-08-18

[3]

SiC单晶的制造方法、SiC单晶的制造装置以及SiC单晶晶片 [P].

金子忠昭 .

中国专利 :CN114423889A ,2022-04-29

[4]

SiC单晶的制造方法、SiC单晶的制造装置以及SiC单晶晶片 [P].

金子忠昭 .

日本专利 :CN114423889B ,2024-07-09

[5]

SiC单晶生长用坩埚、SiC单晶的制造方法及SiC单晶制造装置 [P].

藤川阳平 .

中国专利 :CN111424311B ,2020-07-17

[6]

SiC单晶的制造方法和制造装置 [P].

大黑宽典 ;

龟井一人 .

中国专利 :CN103562443B ,2014-02-05

[7]

SiC单晶的制造方法和制造装置 [P].

土井雅喜 ;

大黑宽典 ;

加渡干尚 ;

佐藤友大 ;

关和明 ;

楠一彦 ;

岸田丰 .

中国专利 :CN108796609A ,2018-11-13

[8]

SiC单晶的制造方法 [P].

楠一彦 ;

龟井一人 ;

大黑宽典 ;

坂元秀光 ;

加渡干尚 .

中国专利 :CN105264126A ,2016-01-20

[9]

SiC单晶的制造方法 [P].

山城浩嗣 ;

阿部信平 .

中国专利 :CN105821479A ,2016-08-03

[10]

SiC单晶的制造方法 [P].

加渡干尚 ;

大黑宽典 ;

楠一彦 .

中国专利 :CN103930601A ,2014-07-16

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