单晶制造装置、单晶制造方法及单晶体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN99800857.5

申请日：

1999-05-28

公开(公告)号：

CN1272145A

公开(公告)日：

2000-11-01

发明(设计)人：

永井邦彦小平纮平田中启之坂本英树

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

C30B1508

IPC分类号：

C30B2930

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

卢新华;吴大建

法律状态：

发明专利申请公开说明书更正

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

SiC单晶体的制造装置和SiC单晶体的制造方法 [P].

冈田信宏 ;

龟井一人 ;

楠一彦 ;

矢代将齐 ;

森口晃治 ;

大黑宽典 ;

铃木宽 ;

石井伴和 ;

坂元秀光 ;

加渡干尚 ;

河合洋一郎 .

中国专利 :CN103282559B ,2013-09-04

[2]

SiC单晶体的制造装置以及SiC单晶体的制造方法 [P].

楠一彦 ;

龟井一人 ;

矢代将齐 ;

冈田信宏 ;

大黑宽典 ;

加渡干尚 ;

坂元秀光 .

中国专利 :CN103620094A ,2014-03-05

[3]

SiC单晶体的制造装置和SiC单晶体的制造方法 [P].

冈田信宏 ;

龟井一人 ;

楠一彦 ;

矢代将齐 ;

森口晃治 ;

大黑宽典 ;

加渡幹尚 ;

坂元秀光 .

中国专利 :CN104471117B ,2015-03-25

[4]

单晶体的制造方法和制造装置 [P].

佐藤利行 .

中国专利 :CN105543950B ,2016-05-04

[5]

单晶制造装置及单晶制造方法 [P].

山下洋二 ;

牛泽次三郎 .

中国专利 :CN1358884A ,2002-07-17

[6]

蓝宝石单晶体的制造装置 [P].

干川圭吾 ;

宫川千宏 ;

中村太一 ;

小林拓实 .

中国专利 :CN102191535B ,2011-09-21

[7]

单晶体的制造方法和装置 [P].

佐藤利行 .

中国专利 :CN107299387B ,2017-10-27

[8]

单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶 [P].

藤井俊辅 ;

川濑智博 ;

羽木良明 ;

桥尾克司 .

中国专利 :CN102272359B ,2011-12-07

[9]

单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶 [P].

藤井俊辅 ;

川濑智博 ;

羽木良明 ;

桥尾克司 .

中国专利 :CN104109906A ,2014-10-22

[10]

单晶制造装置及单晶制造方法 [P].

岩崎淳 ;

园川将 ;

竹安志信 .

中国专利 :CN103370451A ,2013-10-23

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2001-03-28	发明专利申请公开说明书更正	发明专利申请公开说明书更正卷:16 号:44 页码:扉页更正项目:申请日误:19990526 正:19990528
2019-06-21	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):C30B 15/08 申请日:19990528 授权公告日:20051026
2000-11-01	公开	公开
2012-03-28	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101311731813 IPC(主分类):C30B 15/08 专利号:ZL998008575 变更事项:专利权人变更前权利人:爱普生拓优科梦株式会社变更后权利人:精工爱普生株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都变更事项:共同专利权人变更前权利人:小平纮平变更后权利人:小平纮平登记生效日:20120217
2001-02-14	发明专利申请公开说明书更正	发明专利申请公开说明书更正卷:16 号:44 页码:扉页更正项目:申请日误:19990528 正:19990526
2005-10-26	授权	授权
2001-06-20	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2007-11-14	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更变更事项:专利权人变更前:东洋通信机株式会社变更后:爱普生拓优科梦株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京都变更事项:共同专利权人变更前:小平纮平变更后:小平纮平