SiC单晶体的制造装置以及SiC单晶体的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280027428.4

申请日：

2012-06-15

公开(公告)号：

CN103620094A

公开(公告)日：

2014-03-05

发明(设计)人：

楠一彦龟井一人矢代将齐冈田信宏大黑宽典加渡干尚坂元秀光

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B1906

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;张会华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-05	公开	公开
2017-07-14	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101755255454 IPC(主分类):C30B 29/36 专利申请号:2012800274284 申请公布日:20140305
2014-04-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581159276 IPC(主分类):C30B 29/36 专利申请号:2012800274284 申请日:20120615

共 50 条

[1]

SiC单晶体的制造装置和SiC单晶体的制造方法 [P].

冈田信宏 ;

龟井一人 ;

楠一彦 ;

矢代将齐 ;

森口晃治 ;

大黑宽典 ;

铃木宽 ;

石井伴和 ;

坂元秀光 ;

加渡干尚 ;

河合洋一郎 .

中国专利 :CN103282559B ,2013-09-04

[2]

SiC单晶体的制造装置和SiC单晶体的制造方法 [P].

冈田信宏 ;

龟井一人 ;

楠一彦 ;

矢代将齐 ;

森口晃治 ;

大黑宽典 ;

加渡幹尚 ;

坂元秀光 .

中国专利 :CN104471117B ,2015-03-25

[3]

SiC单晶体的制造方法 [P].

加渡干尚 ;

楠一彦 ;

龟井一人 .

中国专利 :CN104603336A ,2015-05-06

[4]

SiC单晶体的制造装置、在制造装置中使用的夹具以及SiC单晶体的制造方法 [P].

龟井一人 ;

楠一彦 ;

矢代将齐 ;

冈田信宏 ;

加渡干尚 ;

坂元秀光 ;

大黑宽典 .

中国专利 :CN103282558A ,2013-09-04

[5]

单晶制造装置、单晶制造方法及单晶体 [P].

永井邦彦 ;

小平纮平 ;

田中启之 ;

坂本英树 .

中国专利 :CN1272145A ,2000-11-01

[6]

单晶体的制造方法和制造装置 [P].

佐藤利行 .

中国专利 :CN105543950B ,2016-05-04

[7]

基于溶液生长法的SiC单晶体的制造装置及其坩埚 [P].

龟井一人 ;

楠一彦 ;

矢代将齐 ;

冈田信宏 ;

大黑宽典 ;

加渡干尚 ;

坂元秀光 .

中国专利 :CN103597129B ,2014-02-19

[8]

蓝宝石单晶体的制造装置 [P].

干川圭吾 ;

宫川千宏 ;

中村太一 ;

小林拓实 .

中国专利 :CN102191535B ,2011-09-21

[9]

SiC单晶的制造方法、SiC单晶的制造装置以及SiC单晶晶片 [P].

金子忠昭 .

中国专利 :CN114423889A ,2022-04-29

[10]

SiC单晶的制造方法、SiC单晶的制造装置以及SiC单晶晶片 [P].

金子忠昭 .

日本专利 :CN114423889B ,2024-07-09

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