单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410171993.9

申请日：

2010-01-08

公开(公告)号：

CN104109906A

公开(公告)日：

2014-10-22

发明(设计)人：

藤井俊辅川濑智博羽木良明桥尾克司

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

C30B2942

IPC分类号：

C30B1100

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李亚;穆德骏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-11-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101588952147 IPC(主分类):C30B 29/42 专利申请号:2014101719939 申请日:20100108
2020-05-22	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 29/42 申请公布日:20141022
2014-10-22	公开	公开

共 50 条

[1]

单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶 [P].

藤井俊辅 ;

川濑智博 ;

羽木良明 ;

桥尾克司 .

中国专利 :CN102272359B ,2011-12-07

[2]

单晶制造装置及单晶制造方法 [P].

岛田聪郎 ;

菅原孝世 .

中国专利 :CN102639763B ,2012-08-15

[3]

单晶制造装置及单晶制造方法 [P].

高沢雅纪 .

中国专利 :CN105358743A ,2016-02-24

[4]

单晶制造装置、单晶制造方法和单晶 [P].

青山浩一郎 .

中国专利 :CN102787351A ,2012-11-21

[5]

单晶制造装置及单晶制造方法 [P].

岩崎淳 ;

园川将 ;

竹安志信 .

中国专利 :CN103370451A ,2013-10-23

[6]

单晶制造方法及单晶制造装置 [P].

中田仗祐 .

中国专利 :CN1125199C ,2000-01-12

[7]

单晶制造装置及单晶制造方法 [P].

山下洋二 ;

牛泽次三郎 .

中国专利 :CN1358884A ,2002-07-17

[8]

单晶制造装置及单晶的制造方法 [P].

下崎一平 .

中国专利 :CN114134559A ,2022-03-04

[9]

单晶制造装置及单晶的制造方法 [P].

西冈研一 ;

高梨启一 ;

滨田建 ;

下崎一平 .

中国专利 :CN115461500A ,2022-12-09

[10]

单晶制造装置及单晶的制造方法 [P].

阿部孝夫 .

中国专利 :CN101970728B ,2011-02-09

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