单晶制造装置及单晶的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980109099.6

申请日：

2009-02-17

公开(公告)号：

CN101970728B

公开(公告)日：

2011-02-09

发明(设计)人：

阿部孝夫

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

C30B2906 C30B1500

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

郑小军;冯志云

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-30	授权	授权
2011-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101059705103 IPC(主分类):C30B 29/06 专利申请号:2009801090996 申请日:20090217
2011-02-09	公开	公开

共 50 条

[1]

单晶的制造方法及单晶制造装置 [P].

下崎一平 ;

高梨启一 ;

滨田建 ;

西出太郎 .

日本专利 :CN117940619A ,2024-04-26

[2]

单晶制造装置及单晶制造方法 [P].

岛田聪郎 ;

菅原孝世 .

中国专利 :CN102639763B ,2012-08-15

[3]

单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶 [P].

藤井俊辅 ;

川濑智博 ;

羽木良明 ;

桥尾克司 .

中国专利 :CN102272359B ,2011-12-07

[4]

单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶 [P].

藤井俊辅 ;

川濑智博 ;

羽木良明 ;

桥尾克司 .

中国专利 :CN104109906A ,2014-10-22

[5]

单晶制造装置及单晶的制造方法 [P].

下崎一平 .

中国专利 :CN114134559A ,2022-03-04

[6]

单晶制造装置及单晶的制造方法 [P].

西冈研一 ;

高梨启一 ;

滨田建 ;

下崎一平 .

中国专利 :CN115461500A ,2022-12-09

[7]

单晶制造装置及单晶的制造方法 [P].

西冈研一 ;

高梨启一 ;

滨田建 ;

下崎一平 .

日本专利 :CN115461500B ,2024-04-05

[8]

单晶制造装置及单晶制造方法 [P].

岩崎淳 ;

园川将 ;

竹安志信 .

中国专利 :CN103370451A ,2013-10-23

[9]

单晶制造方法及单晶制造装置 [P].

中田仗祐 .

中国专利 :CN1125199C ,2000-01-12

[10]

单晶制造装置及单晶制造方法 [P].

山下洋二 ;

牛泽次三郎 .

中国专利 :CN1358884A ,2002-07-17

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