单晶制造装置及单晶的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980109099.6

申请日：

2009-02-17

公开(公告)号：

CN101970728B

公开(公告)日：

2011-02-09

发明(设计)人：

阿部孝夫

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

C30B2906 C30B1500

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

郑小军;冯志云

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-30	授权	授权
2011-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101059705103 IPC(主分类):C30B 29/06 专利申请号:2009801090996 申请日:20090217
2011-02-09	公开	公开

共 50 条

[41]

氮化铝单晶的制造装置、氮化铝单晶的制造方法及氮化铝单晶 [P].

加藤智久 ;

长井一郎 ;

三浦知则 ;

鎌田弘之 .

中国专利 :CN102405310B ,2012-04-04

[42]

薄板状单晶制造装置及薄板状单晶制造方法 [P].

进藤勇 .

中国专利 :CN114945712A ,2022-08-26

[43]

SiC单晶的制造方法和SiC单晶的制造装置 [P].

楠一彦 ;

龟井一人 ;

关和明 ;

岸田豊 ;

森口晃治 ;

海藤宏志 ;

大黑宽典 ;

土井雅喜 .

中国专利 :CN107075726A ,2017-08-18

[44]

SiC单晶的制造装置和SiC单晶的制造方法 [P].

岸田豊 ;

龟井一人 ;

大黑宽典 ;

土井雅喜 .

中国专利 :CN106795648A ,2017-05-31

[45]

单晶的制造方法和制造装置 [P].

滨田建 ;

高梨启一 .

中国专利 :CN107130290A ,2017-09-05

[46]

单晶的制造方法以及制造装置 [P].

佐藤利行 .

中国专利 :CN109957832B ,2019-07-02

[47]

单晶的制造方法 [P].

细田浩二 ;

古川纯 .

中国专利 :CN108505111B ,2018-09-07

[48]

单晶制造装置 [P].

干川圭吾 ;

藤原靖幸 ;

小浜惠一 ;

中西真二 ;

小林拓实 ;

大叶悦子 .

中国专利 :CN108531990A ,2018-09-14

[49]

单晶制造装置 [P].

进藤勇 .

中国专利 :CN107949665B ,2018-04-20

[50]

单晶制造装置 [P].

高桥宽贵 ;

小内骏英 ;

菅原孝世 .

中国专利 :CN114763623A ,2022-07-19

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