单晶制造装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780002192.1

申请日：

2017-05-31

公开(公告)号：

CN107949665B

公开(公告)日：

2018-04-20

发明(设计)人：

进藤勇

申请人：

申请人地址：

日本山梨县

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

C30B1108

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

温剑;刘多益

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/06 申请日:20170531
2018-04-20	公开	公开
2021-03-12	授权	授权

共 50 条

[1]

单晶制造装置和单晶制造方法 [P].

进藤勇 .

中国专利 :CN107849732B ,2018-03-27

[2]

单晶制造装置和单晶制造方法 [P].

进藤勇 ;

羽生真之 .

中国专利 :CN110546314A ,2019-12-06

[3]

单晶制造装置和单晶制造方法 [P].

进藤勇 .

中国专利 :CN110546315A ,2019-12-06

[4]

单晶制造装置、单晶制造方法及单晶体 [P].

永井邦彦 ;

小平纮平 ;

田中启之 ;

坂本英树 .

中国专利 :CN1272145A ,2000-11-01

[5]

单晶制造装置、单晶制造方法和单晶 [P].

青山浩一郎 .

中国专利 :CN102787351A ,2012-11-21

[6]

单晶制造装置及制造方法 [P].

阿部孝夫 .

中国专利 :CN101849043B ,2010-09-29

[7]

单晶制造装置用磁铁、单晶制造装置及单晶制造方法 [P].

山田惇弘 ;

末若良太 .

日本专利 :CN118369465A ,2024-07-19

[8]

单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶 [P].

藤井俊辅 ;

川濑智博 ;

羽木良明 ;

桥尾克司 .

中国专利 :CN102272359B ,2011-12-07

[9]

单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶 [P].

藤井俊辅 ;

川濑智博 ;

羽木良明 ;

桥尾克司 .

中国专利 :CN104109906A ,2014-10-22

[10]

单晶制造装置及单晶制造方法 [P].

岩崎淳 ;

园川将 ;

竹安志信 .

中国专利 :CN103370451A ,2013-10-23

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