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单晶制造装置和单晶制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201880001872.6
申请日：
2018-03-29
公开(公告)号：
CN110546315A
公开(公告)日：
2019-12-06
发明(设计)人：
进藤勇
申请人：
申请人地址：
日本山梨县
IPC主分类号：
C30B1300
IPC分类号：
代理机构：
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人：
胡烨;董庆
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-12-06 公开 公开
2021-09-03 授权 授权
2019-12-31 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 13/00 申请日:20180329
共 50 条
[1]
单晶制造装置和单晶制造方法 [P]. 
进藤勇 ;
羽生真之 .
中国专利 :CN110546314A ,2019-12-06
[2]
单晶制造装置和单晶制造方法 [P]. 
进藤勇 .
中国专利 :CN107849732B ,2018-03-27
[3]
单晶制造装置、单晶制造方法和单晶 [P]. 
青山浩一郎 .
中国专利 :CN102787351A ,2012-11-21
[4]
单晶制造装置和单晶的制造方法 [P]. 
舆公祥 .
中国专利 :CN114000188A ,2022-02-01
[5]
单晶制造装置 [P]. 
进藤勇 .
中国专利 :CN107949665B ,2018-04-20
[6]
薄板状单晶制造装置和薄板状单晶制造方法 [P]. 
进藤勇 .
日本专利 :CN118159692A ,2024-06-07
[7]
单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶 [P]. 
藤井俊辅 ;
川濑智博 ;
羽木良明 ;
桥尾克司 .
中国专利 :CN102272359B ,2011-12-07
[8]
单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶 [P]. 
藤井俊辅 ;
川濑智博 ;
羽木良明 ;
桥尾克司 .
中国专利 :CN104109906A ,2014-10-22
[9]
单晶制造装置及单晶制造方法 [P]. 
岩崎淳 ;
园川将 ;
竹安志信 .
中国专利 :CN103370451A ,2013-10-23
[10]
单晶制造方法及单晶制造装置 [P]. 
中田仗祐 .
中国专利 :CN1125199C ,2000-01-12
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