单晶的制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN201710108491.5
申请日
2017-02-27
公开(公告)号
CN108505111B
公开(公告)日
2018-09-07
发明(设计)人
细田浩二 古川纯
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
C30B1520
IPC分类号
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
张雨;刘林华
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
单晶制造装置及单晶的制造方法 [P]. 
阿部孝夫 .
中国专利 :CN101970728B ,2011-02-09
[2]
单晶的制造方法及单晶制造装置 [P]. 
下崎一平 ;
高梨启一 ;
滨田建 ;
西出太郎 .
日本专利 :CN117940619A ,2024-04-26
[3]
制造半导体单晶的方法 [P]. 
樱田隆 ;
川濑智博 ;
羽木良明 .
中国专利 :CN102859050B ,2013-01-02
[4]
单晶的制造方法 [P]. 
高岛祥 ;
宫原祐一 ;
岩崎淳 .
中国专利 :CN106687625B ,2017-05-17
[5]
单晶制造方法及单晶制造装置 [P]. 
中田仗祐 .
中国专利 :CN1125199C ,2000-01-12
[6]
单晶制造装置及单晶制造方法 [P]. 
岛田聪郎 ;
菅原孝世 .
中国专利 :CN102639763B ,2012-08-15
[7]
单晶制造装置及单晶制造方法 [P]. 
高沢雅纪 .
中国专利 :CN105358743A ,2016-02-24
[8]
单晶制造系统及单晶制造方法 [P]. 
西岗研一 ;
高梨启一 .
中国专利 :CN114761626A ,2022-07-15
[9]
单晶硅制造方法 [P]. 
田边一美 ;
横山隆 ;
金大基 .
中国专利 :CN105683424A ,2016-06-15
[10]
单晶制造装置、单晶制造方法及单晶体 [P]. 
永井邦彦 ;
小平纮平 ;
田中启之 ;
坂本英树 .
中国专利 :CN1272145A ,2000-11-01