单晶的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580048867.7

申请日：

2015-08-25

公开(公告)号：

CN106687625B

公开(公告)日：

2017-05-17

发明(设计)人：

高岛祥宫原祐一岩崎淳

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

C30B1520

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

张晶;谢顺星

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-17	公开	公开
2019-06-21	授权	授权
2017-06-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101726047906 IPC(主分类):C30B 29/06 专利申请号:2015800488677 申请日:20150825

共 50 条

[1]

单晶的制造方法 [P].

细田浩二 ;

古川纯 .

中国专利 :CN108505111B ,2018-09-07

[2]

单晶制造系统及单晶制造方法 [P].

西岗研一 ;

高梨启一 .

中国专利 :CN114761626A ,2022-07-15

[3]

单晶制造装置、单晶制造方法及单晶体 [P].

永井邦彦 ;

小平纮平 ;

田中启之 ;

坂本英树 .

中国专利 :CN1272145A ,2000-11-01

[4]

制造SiC单晶的方法 [P].

坂元秀光 ;

大黑宽典 ;

藤原靖幸 .

中国专利 :CN102264955B ,2011-11-30

[5]

SiC单晶的制造方法 [P].

坂元秀光 .

中国专利 :CN101680113A ,2010-03-24

[6]

单晶纤维制造装置及单晶纤维制造方法 [P].

进藤勇 .

中国专利 :CN114829684A ,2022-07-29

[7]

制造半导体单晶的方法 [P].

樱田隆 ;

川濑智博 ;

羽木良明 .

中国专利 :CN102859050B ,2013-01-02

[8]

单晶硅的制造方法 [P].

添田聪 ;

中野真二 .

中国专利 :CN104854266A ,2015-08-19

[9]

单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置 [P].

坂本英城 ;

杉村涉 ;

横山龙介 ;

松岛直辉 ;

四井拓也 .

日本专利 :CN120981615A ,2025-11-18

[10]

单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置 [P].

杉村涉 ;

横山龙介 ;

坂本英城 ;

松岛直辉 ;

村松祐 .

日本专利 :CN121002233A ,2025-11-21

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