单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380096746.4

申请日：

2023-12-26

公开(公告)号：

CN120981615A

公开(公告)日：

2025-11-18

发明(设计)人：

坂本英城杉村涉横山龙介松岛直辉四井拓也

申请人：

胜高股份有限公司

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B29/06

IPC分类号：

C30B15/14 F27B14/14 F27D27/00

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

朱美红;王磊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-18	公开	公开
2025-12-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/06申请日:20231226

共 50 条

[1]

单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置 [P].

杉村涉 ;

横山龙介 ;

坂本英城 ;

松岛直辉 ;

村松祐 .

日本专利 :CN121002233A ,2025-11-21

[2]

单晶硅的制造方法及单晶硅 [P].

横山龙介 ;

藤原俊幸 .

中国专利 :CN108291327A ,2018-07-17

[3]

单晶硅制造装置 [P].

渡边健一 ;

贺贤汉 .

中国专利 :CN102061516A ,2011-05-18

[4]

单晶硅制造装置 [P].

柳町隆弘 ;

秋叶雅弘 ;

德江润也 ;

园川将 .

中国专利 :CN106029958A ,2016-10-12

[5]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

日本专利 :CN114929950B ,2024-08-23

[6]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

中国专利 :CN114929950A ,2022-08-19

[7]

单晶硅晶片及单晶硅的制造方法 [P].

樱田昌弘 ;

小林武史 ;

森达生 ;

布施川泉 ;

太田友彦 .

中国专利 :CN1406292A ,2003-03-26

[8]

单晶硅制造方法 [P].

樱田昌弘 ;

德江润也 ;

星亮二 ;

布施川泉 .

中国专利 :CN105247115B ,2016-01-13

[9]

单晶硅制造装置 [P].

尼崎晋 .

中国专利 :CN115637486A ,2023-01-24

[10]

制造单晶硅 [P].

埃里克·绍尔 ;

奥列格·费费洛夫 ;

卡内尔·洛德 .

中国专利 :CN104246022A ,2014-12-24

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