单晶硅制造装置

被引：0

申请号：

CN202210841271.4

申请日：

2022-07-18

公开(公告)号：

CN115637486A

公开(公告)日：

2023-01-24

发明(设计)人：

尼崎晋

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B1500

IPC分类号：

C30B1520 C30B2906 G01J500 G01J507 G01J50806

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

张泽洲;司昆明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-24	公开	公开
2023-02-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 15/00 申请日:20220718

共 50 条

[1]

单晶硅制造装置 [P].

渡边健一 ;

贺贤汉 .

中国专利 :CN102061516A ,2011-05-18

[2]

单晶硅制造装置 [P].

柳町隆弘 ;

秋叶雅弘 ;

德江润也 ;

园川将 .

中国专利 :CN106029958A ,2016-10-12

[3]

单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置 [P].

坂本英城 ;

杉村涉 ;

横山龙介 ;

松岛直辉 ;

四井拓也 .

日本专利 :CN120981615A ,2025-11-18

[4]

单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置 [P].

杉村涉 ;

横山龙介 ;

坂本英城 ;

松岛直辉 ;

村松祐 .

日本专利 :CN121002233A ,2025-11-21

[5]

制造单晶硅的装置 [P].

神尾宽 ;

荒木健治 ;

岛芳延 ;

钤木真 ;

兼头武 ;

中滨泰光 ;

钤木威 ;

藤林晃夫 .

中国专利 :CN1055965A ,1991-11-06

[6]

制造单晶硅 [P].

埃里克·绍尔 ;

奥列格·费费洛夫 ;

卡内尔·洛德 .

中国专利 :CN104246022A ,2014-12-24

[7]

单晶硅制造装置热场 [P].

袁文宝 .

中国专利 :CN103173852A ,2013-06-26

[8]

单晶硅制造装置热场 [P].

袁文宝 .

中国专利 :CN202415736U ,2012-09-05

[9]

单晶硅制造方法以及单晶硅晶片 [P].

菅原孝世 ;

星亮二 .

中国专利 :CN110036143A ,2019-07-19

[10]

单晶硅的制造方法及单晶硅 [P].

横山龙介 ;

藤原俊幸 .

中国专利 :CN108291327A ,2018-07-17

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