单晶硅制造装置热场

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110430417.8

申请日：

2011-12-21

公开(公告)号：

CN103173852A

公开(公告)日：

2013-06-26

发明(设计)人：

袁文宝

申请人：

申请人地址：

225507 江苏省泰州市姜堰市娄庄镇李庄村

IPC主分类号：

C30B1514

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-26	公开	公开
2015-08-12	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101719133023 IPC(主分类):C30B 15/14 专利申请号:2011104304178 申请公布日:20130626

共 50 条

[1]

单晶硅制造装置热场 [P].

袁文宝 .

中国专利 :CN202415736U ,2012-09-05

[2]

单晶硅热场 [P].

范桂林 ;

李茂欣 .

中国专利 :CN203741453U ,2014-07-30

[3]

单晶硅制造装置 [P].

渡边健一 ;

贺贤汉 .

中国专利 :CN102061516A ,2011-05-18

[4]

单晶硅制造装置炉室结构 [P].

袁文宝 .

中国专利 :CN103173849A ,2013-06-26

[5]

单晶硅制造装置炉室结构 [P].

袁文宝 .

中国专利 :CN202415729U ,2012-09-05

[6]

单晶硅制造装置 [P].

柳町隆弘 ;

秋叶雅弘 ;

德江润也 ;

园川将 .

中国专利 :CN106029958A ,2016-10-12

[7]

单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置 [P].

坂本英城 ;

杉村涉 ;

横山龙介 ;

松岛直辉 ;

四井拓也 .

日本专利 :CN120981615A ,2025-11-18

[8]

单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置 [P].

杉村涉 ;

横山龙介 ;

坂本英城 ;

松岛直辉 ;

村松祐 .

日本专利 :CN121002233A ,2025-11-21

[9]

单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法 [P].

星亮二 ;

菅原孝世 .

中国专利 :CN104619893A ,2015-05-13

[10]

单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法 [P].

星亮二 ;

菅原孝世 .

中国专利 :CN108823636A ,2018-11-16

← 1 2 3 4 5 →