单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810841153.7

申请日：

2013-08-26

公开(公告)号：

CN108823636A

公开(公告)日：

2018-11-16

发明(设计)人：

星亮二菅原孝世

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

C30B1512 C30B1514

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

张晶;谢顺星

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/06 申请日:20130826
2018-11-16	公开	公开

共 50 条

[1]

单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法 [P].

星亮二 ;

菅原孝世 .

中国专利 :CN104619893A ,2015-05-13

[2]

单晶硅生长装置及单晶硅生长方法 [P].

卢哲玮 ;

薛抗美 .

中国专利 :CN111394784A ,2020-07-10

[3]

单晶硅生长方法 [P].

张俊宝 ;

刘浦锋 ;

宋洪伟 ;

陈猛 .

中国专利 :CN105887188A ,2016-08-24

[4]

单晶硅生长设备和生长单晶硅的方法 [P].

全洙仁 .

中国专利 :CN104583467A ,2015-04-29

[5]

单晶硅生长炉 [P].

李秦霖 ;

宋洪伟 .

中国专利 :CN106894082B ,2017-06-27

[6]

单晶硅生长装置 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN120967491A ,2025-11-18

[7]

单晶硅生长炉加热装置 [P].

韩喆 ;

林友相 ;

李国迪 ;

蒋明霞 .

中国专利 :CN201842896U ,2011-05-25

[8]

一种单晶硅生长装置及单晶硅生长方法 [P].

王志辉 .

中国专利 :CN110528064A ,2019-12-03

[9]

单晶硅的生长方法 [P].

末若良太 .

中国专利 :CN105765114A ,2016-07-13

[10]

单晶硅生长炉 [P].

刘磊 ;

武鹏 ;

楼杭炯 ;

王运动 ;

何金凯 ;

贾晨晨 ;

王成龙 ;

张大海 .

中国专利 :CN222935574U ,2025-06-03

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