单晶硅生长炉加热装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201020596637.9

申请日：

2010-11-09

公开(公告)号：

CN201842896U

公开(公告)日：

2011-05-25

发明(设计)人：

韩喆林友相李国迪蒋明霞

申请人：

申请人地址：

325200 浙江省温州市瑞安市飞云镇下厂村

IPC主分类号：

C30B1514

IPC分类号：

代理机构：

瑞安市翔东知识产权代理事务所 33222

代理人：

薛辉

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-12-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101557329045 IPC(主分类):C30B 15/14 专利号:ZL2010205966379 申请日:20101109 授权公告日:20110525 终止日期:20121109
2011-05-25	授权	授权

共 50 条

[1]

单晶硅生长炉 [P].

李秦霖 ;

宋洪伟 .

中国专利 :CN106894082B ,2017-06-27

[2]

单晶硅生长炉的石墨坩埚 [P].

蔡光进 ;

李国迪 ;

蒋明霞 .

中国专利 :CN201842895U ,2011-05-25

[3]

单晶硅生长炉加热控制装置 [P].

孙庆真 ;

李国迪 ;

蒋明霞 .

中国专利 :CN201842898U ,2011-05-25

[4]

单晶硅生长炉 [P].

陈俊宏 .

中国专利 :CN218262828U ,2023-01-10

[5]

单晶硅生长炉 [P].

刘磊 ;

武鹏 ;

楼杭炯 ;

王运动 ;

何金凯 ;

贾晨晨 ;

王成龙 ;

张大海 .

中国专利 :CN222935574U ,2025-06-03

[6]

单晶硅生长炉的石墨坩埚 [P].

周兵 .

中国专利 :CN202390577U ,2012-08-22

[7]

单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法 [P].

星亮二 ;

菅原孝世 .

中国专利 :CN104619893A ,2015-05-13

[8]

单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法 [P].

星亮二 ;

菅原孝世 .

中国专利 :CN108823636A ,2018-11-16

[9]

单晶硅生长炉 [P].

张志新 ;

王军 ;

安桂正 .

中国专利 :CN300933376D ,2009-05-27

[10]

一种单晶硅生长炉的加热系统 [P].

张浩强 ;

颜玉峰 ;

杨立辉 .

中国专利 :CN201362755Y ,2009-12-16

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