单晶硅生长设备和生长单晶硅的方法

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专利类型
发明
申请号
CN201480002128.X
申请日
2014-06-05
公开(公告)号
CN104583467A
公开(公告)日
2015-04-29
发明(设计)人
全洙仁
申请人
申请人地址
韩国庆尚北道
IPC主分类号
C30B1520
IPC分类号
C30B2906
代理机构
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270
代理人
王艳波;张颖玲
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
单晶硅生长装置及单晶硅生长方法 [P]. 
卢哲玮 ;
薛抗美 .
中国专利 :CN111394784A ,2020-07-10
[2]
单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法 [P]. 
星亮二 ;
菅原孝世 .
中国专利 :CN104619893A ,2015-05-13
[3]
单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法 [P]. 
星亮二 ;
菅原孝世 .
中国专利 :CN108823636A ,2018-11-16
[4]
单晶硅生长炉 [P]. 
李秦霖 ;
宋洪伟 .
中国专利 :CN106894082B ,2017-06-27
[5]
单晶硅生长装置 [P]. 
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN120967491A ,2025-11-18
[6]
单晶硅生长炉 [P]. 
刘磊 ;
武鹏 ;
楼杭炯 ;
王运动 ;
何金凯 ;
贾晨晨 ;
王成龙 ;
张大海 .
中国专利 :CN222935574U ,2025-06-03
[7]
单晶硅的生长设备 [P]. 
武鹏 ;
贾晨晨 ;
何金凯 ;
王成龙 ;
刘磊 .
中国专利 :CN119530973A ,2025-02-28
[8]
单晶硅的生长设备 [P]. 
武鹏 ;
贾晨晨 ;
何金凯 ;
王成龙 ;
刘磊 .
中国专利 :CN223738210U ,2025-12-30
[9]
单晶硅锭和生长该单晶硅锭的方法 [P]. 
姜钟珉 ;
朴炳祐 .
韩国专利 :CN118461119A ,2024-08-09
[10]
单晶硅生长炉 [P]. 
陈俊宏 .
中国专利 :CN218262828U ,2023-01-10