制造半导体单晶的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180017185.1

申请日：

2011-03-28

公开(公告)号：

CN102859050B

公开(公告)日：

2013-01-02

发明(设计)人：

樱田隆川濑智博羽木良明

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

C30B1100

IPC分类号：

C30B2700 C30B2940

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

王海川;穆德骏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-02	公开	公开
2015-07-15	授权	授权
2013-02-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101395929778 IPC(主分类):C30B 11/00 专利申请号:2011800171851 申请日:20110328

共 50 条

[1]

单晶半导体材料的制造 [P].

U·克拉特 ;

C·施密德 ;

J·哈恩 .

中国专利 :CN102947025A ,2013-02-27

[2]

半导体单晶制造装置 [P].

杉村涉 ;

小野敏昭 ;

宝来正隆 .

中国专利 :CN101175874B ,2008-05-07

[3]

半导体单晶制造装置 [P].

杉村涉 ;

宝来正隆 ;

小野敏昭 .

中国专利 :CN101175873A ,2008-05-07

[4]

制造半导体单晶装置 [P].

神尾宽 ;

中冈一秀 ;

荒木健治 ;

村上胜彦 ;

风间彰 ;

堀江重豪 .

中国专利 :CN87101952A ,1987-09-23

[5]

用于制造半导体材料的单晶的方法 [P].

W·V·阿蒙 ;

L·阿尔特曼绍夫尔 ;

H·里曼 ;

J·菲舍尔 .

中国专利 :CN101649485B ,2010-02-17

[6]

单晶的培育方法、半导体基板的制造方法以及半导体基板 [P].

上田悠贵 ;

五十岚拓也 ;

舆公祥 .

日本专利 :CN120077169A ,2025-05-30

[7]

有机半导体器件、有机半导体单晶膜的制造方法、以及有机半导体器件的制造方法 [P].

竹谷纯一 ;

渡边峻一郎 ;

佐佐木真理 ;

牧田龙幸 .

中国专利 :CN113454800A ,2021-09-28

[8]

有机半导体器件、有机半导体单晶膜的制造方法、以及有机半导体器件的制造方法 [P].

竹谷纯一 ;

渡边峻一郎 ;

佐佐木真理 ;

牧田龙幸 .

日本专利 :CN113454800B ,2024-12-20

[9]

制造单晶或多晶半导体材料的方法 [P].

乌韦·萨赫尔 ;

马蒂亚斯·米勒 ;

英戈·施维利希 ;

弗兰克-托马斯·伦特斯 ;

弗兰克·比勒斯费尔德 .

中国专利 :CN101463497A ,2009-06-24

[10]

用于制造单晶金属-半导体-复合的方法 [P].

赵清太 ;

L.克诺尔 ;

S.曼特尔 .

中国专利 :CN104254905A ,2014-12-31

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