半导体单晶制造装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580049782.7

申请日：

2005-12-02

公开(公告)号：

CN101175873A

公开(公告)日：

2008-05-07

发明(设计)人：

杉村涉宝来正隆小野敏昭

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

C30B1520

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

孙秀武;李平英

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-05-25	授权	授权
2011-11-09	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101204910274 IPC(主分类):C30B 29/06 专利号:ZL2005800497827 变更事项:专利权人变更前:株式会社SUMCO 变更后:胜高股份有限公司变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本东京都
2008-05-07	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体单晶制造装置 [P].

杉村涉 ;

小野敏昭 ;

宝来正隆 .

中国专利 :CN101175874B ,2008-05-07

[2]

制造半导体单晶装置 [P].

神尾宽 ;

中冈一秀 ;

荒木健治 ;

村上胜彦 ;

风间彰 ;

堀江重豪 .

中国专利 :CN87101952A ,1987-09-23

[3]

半导体制造装置和半导体制造方法 [P].

冈部庸之 ;

金子健吾 .

中国专利 :CN100462887C ,2006-03-22

[4]

化合物半导体单晶制造装置和制造方法 [P].

佐藤一成 ;

水原奈保 ;

谷崎圭祐 ;

宫永伦正 ;

樱田隆 ;

中幡英章 .

中国专利 :CN101680109B ,2010-03-24

[5]

半导体制造装置 [P].

藤林裕明 ;

竹内有一 .

中国专利 :CN113302719A ,2021-08-24

[6]

半导体制造装置 [P].

藤林裕明 ;

竹内有一 .

日本专利 :CN113302719B ,2024-01-02

[7]

单晶半导体材料的制造 [P].

U·克拉特 ;

C·施密德 ;

J·哈恩 .

中国专利 :CN102947025A ,2013-02-27

[8]

半导体装置的制造装置及制造方法 [P].

高桥诚 .

中国专利 :CN114342052A ,2022-04-12

[9]

半导体制造装置用的气体供给装置 [P].

冈部庸之 .

中国专利 :CN102235573A ,2011-11-09

[10]

半导体装置的制造方法及半导体制造装置 [P].

大见忠弘 ;

寺本章伸 ;

赤堀浩史 .

中国专利 :CN101263589A ,2008-09-10

← 1 2 3 4 5 →