半导体制造装置和半导体制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480004339.3

申请日：

2004-07-14

公开(公告)号：

CN100462887C

公开(公告)日：

2006-03-22

发明(设计)人：

冈部庸之金子健吾

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

G05D706

IPC分类号：

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-02-18	授权	授权
2006-03-22	公开	公开
2006-07-05	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体制造装置和半导体制造方法 [P].

森田朋岳 .

中国专利 :CN101202240A ,2008-06-18

[2]

半导体制造方法和半导体制造装置 [P].

山口欣秀 ;

佐藤清彦 .

日本专利 :CN114916240B ,2025-11-21

[3]

半导体制造方法和半导体制造装置 [P].

山口欣秀 ;

佐藤清彦 .

中国专利 :CN114916240A ,2022-08-16

[4]

半导体制造方法和半导体制造装置 [P].

长谷川博之 ;

山冈智刚 ;

石原良夫 ;

增崎宏 .

中国专利 :CN1183578C ,2001-09-12

[5]

半导体制造装置和半导体制造方法 [P].

卞达开 ;

罗际蔚 ;

边春旭 .

中国专利 :CN117265509B ,2024-03-15

[6]

半导体制造方法、半导体制造装置以及半导体装置 [P].

太駄俊彦 ;

黑泽哲也 ;

福田昌利 .

中国专利 :CN110310903A ,2019-10-08

[7]

半导体制造装置及半导体制造方法 [P].

岩田亨 .

日本专利 :CN120048751A ,2025-05-27

[8]

半导体制造装置及半导体制造方法 [P].

清水和宏 ;

秋山肇 ;

保田直纪 .

中国专利 :CN1921071B ,2007-02-28

[9]

半导体制造装置、半导体制造工厂及半导体制造方法 [P].

南出由生 ;

和田直之 .

日本专利 :CN120418927A ,2025-08-01

[10]

半导体制造装置 [P].

藤林裕明 ;

竹内有一 .

中国专利 :CN113302719A ,2021-08-24

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